Електронний каталог науково-технічної бібліотеки Вінницького національного технічного університету
гетероструктура
Підтеми:
Документи:
- Гетероструктура a-C/n-Si в качестве детектора ионизирующих излучений [Текст] / К. Э. Авджян, Л. А. Матевосян, К. С. Оганян, Л. Г. Петросян // Приборы и техника эксперимента. – 2016. – № 1. – С. 68-70.
- Физико-химическая модель начальной стадии формирования гетероструктур селенид галлия - арсенид галлия, полученных методом гетеровалентного замещения мышьяка селеном [Текст] / В. Ф. Антюшин, А. В. Буданов, Е. А. Татохин, Я. А. Болдырева // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2002. – № 2. – 29-32.
- Особенности диффузионного перераспределения примесей в гетероструктурах [Текст] / В. Ф. Антюшин, А. В. Буданов, Е. А. Татохин, Я. А. Татохина // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2002. – № 5. – 9-12.
- Асеев, А. Л. Физика и технология гетероструктур III-V: современное состояние и тенденции развития [Текст] / А. Л. Асеев, О. П. Пчеляков, А. И. Торопов // Изв.ВУЗов.Физика. – 2003. – 46, № 6. – 21-26.
- Исследование некоторых технологических параметров выращивания гетероструктур типа In-As-In-As1-xSbx и перспективы их применения [Текст] / Т. И. Бабюк, О. С. Шевчук, В. М. Бурдейный, С. Г. Авдеев // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. – 2001. – № 2. – С. 110-113.
- Барышев, В. Р. Лазеры с двумерной распределенной обратной связью на основе статических и динамических брэгговских структур [Текст] / В. Р. Барышев, Н. С. Гинзбург // Квантовая электроника. – 2011. – Т. 41, № 9. – С. 776-781.
- Бежко, М. П. Методика и установка для определения дифференциальной проводимости резонансно-тунельных структур [Текст] / М. П. Бежко, И. Ю. Безотосный // Приборы и техника эксперимента. – 2011. – № 4. – С. 58-61.
- Низкотемпературные методы создания наноструктурированных оксидов титана и цинка с заданной морфологией [Текст] / А. Н. Белов, Ю. В. Волосова, С. А. Гаврилов [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 5. – С. 62-68.
- Богатов, А. П. Быстродействие оптического усилителя-модулятора на основе диодного лазера [Текст] / А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков // Квантовая электроника. – 2010. – Т. 40, № 9. – С. 782-788.
- Спектр связанных электронных состояний в гетероструктурах, образованных сверхпроводником и ферромагнитными металлами [Текст] / И. В. Бойло, М. А. Белоголовский, Т. А. Хачатурова, С. Ю. Ларкин // Известия вузов. Радиоэлектроника. – 2009. – № 1-2. – С. 65-72.
- Бойчук, В. І. Дисперсія коефіцієнта відбивання від інтерфейсу гетеросистеми одновимірних кристалів [Текст] / В. І. Бойчук, І. В. Білинський, І. О. Шаклеїна // Фізика і хімія твердого тіла. – 2007. – 8, № 4. – С. 680-687.
- Боргардт, Н. И. Исследования полупроводниковых гетероструктур электронно-микроскопическими методами [Текст] / Н. И. Боргардт, С. К. Максимов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2000. – № 4-5. – 158-161.
- Боцула, О. В. Диод с катодным статическим доменом на основе гетероструктуры [Текст] / О. В. Боцула, К. Г. Приходько // Радіофізика та електроніка. – 2015. – Т. 6(20), № 3. – С. 66-71.
- Исследование многокомпонентных висмутсодержащих гетероструктур на основе соединений A3B5 [Текст] / Д. П. Валюхов, С. В. Лисицын, А. Э. Зорькин [et al.] // Изв.ВУЗов.Физика. – 2003. – 46, № 11. – 57-60.
- Вигдорович, Е. Н. Влияние структурного совершенства слоев квантовых ям гетероструктур на основе нитрида галлия на их излучательные характеристики [Текст] / Е. Н. Вигдорович, И. Г. Ермошин // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2016. – Т. 21, № 6. – С. 503-509.
- Вигдорович, Е. Н. Рентгенодифрактометрические исследования структурных свойств слоев твердых растворов на основе нитрида галлия [Текст] / Е. Н. Вигдорович, И. Г. Ермошин // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2016. – Т. 21, № 5. – С. 399-404.
- Фотоэлектрические свойства гетероструктур Si(111)/b-FeSi2 в области энергий 0,65 - 3,1 эВ [Текст] / Н. Г. Галкин, А. В. Конченко, А. М. Маслов, В. О. Полярный // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2001. – № 4. – 70-77.
- Линейки импульсных лазерных диодов спектрального диапазона 1.5-1.6 мкм на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур AlGaInAs/InP [Текст] / П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин [и др.] // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 9. – С. 822-823.
- Фізичні властивості PEDOT:PSS - ZnSe гетеропереходу [Текст] / З. Ю. Готра, П. Й. Стахіра, В. П. Махній [та ін.] // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. – 2007. – N2 (14). – С. 238-242.
- Гридин, В. Н. Исследование воздействия быстрых нейтронов и электронов на светодиоды с белым и синим цветом свечения [Текст] / В. Н. Гридин, И. В. Рыжков, В. С. Виноградов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2009. – № 1. – С. 27-32.
- Особенности структуры и свойств углеродных наностолбиков, сформированных низкотемпературным осаждением из газовой фазы [Текст] / Д. Г. Громов, Н. И. Боргардт, Р. Л. Волков [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2013. – № 2. – С. 42-48.
- Двухволновые лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур [Текст] / Е. И. Давыдова, В. П. Коняев, М. А. Ладугин [и др.] // Квантовая электроника. – 2010. – Т. 40, № 8. – С. 697-699.
- Линейки лазерных диодов с длиной волны излучения 808 нм на основе двойных эпитаксиально-интегрированных гетероструктур [Текст] / Е. И. Давыдова, В. П. Коняев, М. А. Ладугин [и др.] // Квантовая электроника. – 2010. – Т. 40, № 8. – С. 682-684.
- Влияние особенностей формирования квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/(AI)GaAs на спектральные характеристики лазерных диодов, изготовленных на их основе [Текст] / В. П. Дураев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица [et al.] // Квантовая электроника. – 2008. – 38, № 2. – 97-102.
- Егоркин, В. И. Исследование акустического переноса заряда в гетероструктурах на основе арсенида галлия [Текст] / В. И. Егоркин, А. К. Мороча, И. П. Казаков // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 3. – С. 11-14.
- Егоркин, В. Н. Моделирование электронного транспорта в туннельно-резонансных гетероструктурах GaN/AlGaN [Текст] / В. Н. Егоркин, М. Н. Журавлев, В. В. Капаев // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 2. – C. 3-8.
- Елесин, В. В. Расчетно-экспериментальное моделирование эффектов мощности дозы в СВЧ МИС на основе гетероструктурных полевых транзисторов [Текст] / В. В. Елесин // Микроэлектроника. – 2014. – Т. 43, № 2. – С. 133-141.
- Ермошин, И. Г. Оптимизация технологии получения гетероструктур GaN с использованием данных дифрактометрического анализа [Текст] / И. Г. Ермошин, И. Н. Цыпленков, Ю. Н. Свешников // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2008. – № 2. – 49-51.
- Прецизійний терморегульований комплекс кріогенної апаратури для дослідження вольт-амперних характеристик тунельних контактів надпровідних матеріалів (англ. мов.) [Текст] / І. П. Жарков, В. В. Сафронов, В. О. Ходунов [et al.] // Science and Innovation. – 2020. – Vol. 16, № 4. – C. 57-66.
- Спектральные характеристики многомодовых полупроводниковых лазеров с поверхностной дифракционной решеткой высших порядков [Текст] / В. В. Золотарев, А. Ю. Лешко, Н. А. Пихтин [и др.] // Квантовая электроника. – 2014. – Т. 44, № 10. – С. 907-911.
- Иванов, Ю. А. Наноэлектроника на базе многослойных гетероструктур [Текст] / Ю. А. Иванов, К. В. Малышев, Н. В. Федоркова // Изв.ВУЗов.Машиностроение. – 2003. – № 5. – 73-78.
- Устройства измерения температуры на основе пленочных термоэлектрических сенсоров [Текст] / Н. В. Капитанов, А. И. Копыл, С. И. Кособуцкий, В. В. Разиньков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2004. – № 6. – 34-37.
- Караваев, Г. Ф. Метод огибающих функций для гетероструктур. Модели сшивания и применение для AlAs/AlxGa1-xAs(110) [Текст] / Г. Ф. Караваев, В. Н. Чернышев // Изв.ВУЗов.Физика. – 2003. – 46, № 6. – 51-58.
- Кейси, Х. Лазеры на гетероструктурах [Текст] : В 2 томах. Т.1 : Основные принципы / Х. Кейси, М. Паниш ; Пер. с англ. А.Е. Дракина; Под ред. П.Г. Елисеева. – М. : Мир, 1981. – 299 с. : ил.
- Кейси, Х. Лазеры на гетероструктурах [Текст] : В 2-х т. Т.2 : Материалы. Рабочие характеристики / Х. Кейси, М. Паниш ; Под ред. П.Г.Елисеева. – М. : Мир, 1981. – 364 с. : ил.
- Кобаса, И. М. Фотокаталитическое восстановление метиленового голубого формальдегидом в присутствии диоксида титана и сульфида кадмия, сенсибилизированных диоксида титана и сульфида кадмия, сенсибилизированных [Текст] / И. М. Кобаса, И. В. Кондратьева, Ю. И. Гнатюк // Теоретическая и экспериментальная химия. – 2008. – 44, № 1. – 40-45.
- Ковалюк, З. Д. Гетероструктуры, полученные методом отжига монокриталлов InSe в парах серы [Текст] / З. Д. Ковалюк, О. Н. Кушнир, В. В. Нетяга // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2009. – № 4. – С. 61-62.
- Дисковый полупроводниковый лазер на гетероструктуре Zn(Cd)Se/ZnMgSSe с накачкой электронным пучком [Текст] / В. И. Козловский, П. И. Кузнецов, Д. Е. Свиридов, Г. Г. Якущева // Квантовая электроника. – 2012. – Т. 42, № 7. – С. 583-587.
- Перенос спинов и микроволновые автоколебания в магнитных гетероструктурах с гигантским магнитосопротивлением [Текст] / В. И. Корнеев, А. Ф. Попков, Г. Д. Демин [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 5. – С. 5-17.
- Диагностика тонкого спектра в квантовой яме лазерных гетероструктур ультразвуковой деформацией [Текст] / Л. А. Кулакова, Н. С. Аверкиев, А. Н. Даринский, Э. З. Яхкинд // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 5. – С. 410-413.
- Модификация электрофизических свойств структуры Me-CdZnTe-Me методами термической обработки для детекторов гамма-излучения [Текст] / В. Е. Кутний, Д. В. Кутний, А. В. Рыбка [et al.] // Контрольно-измерительные приборы и автоматика. – 2004. – № 12. – 36-41.
- Мощные импульсные лазерные излучатели спектрального диапазона 850-870 нм на основе гетероструктур с узкими и широкими волноводами [Текст] / М. А. Ладугин, Ю. П. Коваль, А. А. Мармалюк [и др.] // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 5. – С. 407-409.
- Использование низкоразмерных гетероструктур соединений A(3)B(5) в датчиках давления [Текст] / И. Е. Марончук, А. Д. Кучерук, С. Ю. Ерохин, И. В. Чорный // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2002. – № 6. – 38-43.
- Морозовська, Г. М. Ефекти пам'яті гетероструктур на основі полярно-активних наноплівок [Текст] / Г. М. Морозовська, Г. С. Свєчніков // Український фізичний журнал. – 2010. – Т.5, № 2. – С. 140-170.
- Мороча, А. К. К теории распространения и усиления поверхностных акустоэлектрических волн в гетероструктурах на основе GaAs [Текст] / А. К. Мороча, В. И. Егоркин // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2002. – № 6. – 10-16.
- Мороча, А. К. О существовании поперечных акустоэлектрических волн типа Стоунли и возможности их применения в акустонаноэлектронике [Текст] / А. К. Мороча, А. С. Рожков // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2017. – Т. 22, № 1. – С. 7-14.
- Муминов, Р. А. Особенности формирования высокоэффективных полупроводниковых детекторов на основе гетероструктур альфаSi-Si(Li) [Текст] / Р. А. Муминов, А. К. Саймбетов, Е. К. Тошмуродов // Приборы и техника эксперимента. – 2013. – № 1. – С. 38-40.
- Названов, В. Ф. Об одной особенности спектральной характеристики гетероструктуры ZnS-GaP [Текст] / В. Ф. Названов, Ю. В. Сусляков // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2006. – № 3. – 85-86.
- Пархоменко, Г. В. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe [Текст] / Г. В. Пархоменко, П. Д. Марьянчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2016. – № 4-5. – С.29-33.
- Савчин, В. П. Поляризаційна та позиційна фоточутливість гетероструктур, сформованим термічним окисленням монокристала In4Se3 [Текст] / В. П. Савчин // Український фізичний журнал. – 2000. – № 10. – 1211-1215.
1
2
|