| |
Влияние особенностей формирования квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/(AI)GaAs на спектральные характеристики лазерных диодов, изготовленных на их основе [Текст] / В. П. Дураев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица [et al.]
// Квантовая электроника. – 2008. – 38, № 2. – 97-102.
В настоящей работе с учетом особенностей формирования лазерных квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/(AI)GaAs были рассчитаны энергетические спектры их активной области |
