| |
Фотоэлектрические свойства гетероструктур Si(111)/b-FeSi2 в области энергий 0,65 - 3,1 эВ [Текст] / Н. Г. Галкин, А. В. Конченко, А. М. Маслов, В. О. Полярный
// Изв.ВУЗов.Электроника. – 2001. – № 4. – 70-77.
Исследован фотоэффект в гетероструктурах, выращенных на подложках n- и p-типа проводимости. |
