Електронний каталог науково-технічної бібліотеки Вінницького національного технічного університету
гетероструктура InGaN/GaN
Документи:
- Акустична емісія та зміни люмінесцентних і електричних характеристик гетероструктур InGaN/GaN при струмовому навантаженні [Текст] / В. П. Велещук, О. І. Власенко, О. В. Ляшенко [et al.] // Фізика і хімія твердого тіла. – 2008. – 9, № 1. – 169-174.
- Акустична емісія при релаксації локальних термомеханічних напружень в процесі деградації світловипромінюючих гетероструктур на основі InGaN та GaAsP [Текст] / В. П. Велещук, О. І. Власенко, О. В. Ляшенко [et al.] // Український фізичний журнал. – 2008. – 53, № 3. – 240-246.
- Интегральный антенный элемент со встроенным усилителем 5-мм диапазона длин волн на основе гетероструктур AlGaN/GaN [Текст] / П. П. Мальцев, О. С. Матвеенко, Ю. В. Федоров [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2014. – № 4. – С. 73-76.
- Закономерности изменения внешней квантовый эффективности InGaN/GaN зеленых светодиодов в процессе ускоренных испытаний [Текст] / В. А. Сергеев, И. В. Фролов, А. А. Широков, О. А. Радаев // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2017. – Т. 21, № 3. – С. 220-230.
|