| |
Гетероструктура a-C/n-Si в качестве детектора ионизирующих излучений [Текст] / К. Э. Авджян, Л. А. Матевосян, К. С. Оганян, Л. Г. Петросян
// Приборы и техника эксперимента. – 2016. – № 1. – С. 68-70.
Представлены результаты исследования по применению гетероструктуры - аморфные углеродные пленки на кремнии n-типа (a-C/n-Si), изготовленной методом вакуумного лазерно-импульсного осаждения, в качестве детектора ионизирующих излучений. |
