Електронний каталог науково-технічної бібліотеки Вінницького національного технічного університету
гетероструктура
Підтеми:
Документи:
- Формирование и исследование СВЧ полевых транзисторов на основе гетероструктур GaAs/GaAlAs/GaAs [Текст] / Б. И. Селезнев, А. П. Штейнгарт, В. Л. Романов [и др.] // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 2. – С. 32-39.
- Фотоелектрохімічні властивості плівок на основі ванадатів вісмуту та міді [Текст] / В. О. Смілик, С. С. Фоманюк, Г. Я. Колбасов, І. А. Русецький // Український хімічний журнал. – 2019. – Т. 85, № 9-10. – С. 83-90.
- Соколова, З. Н. Пороговые характеристики полупроводниковых лазеров при нарушении электронейтральности в квантовых ямах [Текст] / З. Н. Соколова, И. С. Тарасова, Л. В. Асрян // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 5. – С. 428-432.
- Тарасов, И. С. Мощные полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур раздельного ограничения [Текст] / И. С. Тарасов // Квантовая электроника. – 2010. – Т. 40, № 8. – С. 661-681.
- Атомные механизмы релаксации упругих напряжений в гетероэпитаксиальной структуре Cu/Ni(001) [Текст] / О. С. Трушин, А. Н. Куприянов, С.-Ч. Инг [и др.] // Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 6. – С. 459-463.
- Царик, К. А. Формирование и исследование наногетероструктур AlGaN/GaN с применением атомно - силовой микроскопии [Текст] / К. А. Царик, В. К. Неволин // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2009. – № 6. – С. 44-49.
- Шерченков, А. А. Гетероструктуры на основе некристаллических полупроводников для приборного применения [Текст] / А. А. Шерченков // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2005. – № 4-5. – 58-63.
- Ющенко, А. В. Вплив парів етилового спирту на електрофізичні параметри гетероструктур наноплівки (IN-2O-3+5%SN)-P-SI [Текст] / А. В. Ющенко // Вимірювання, контроль та діагностика в технічних системах ( ВКДТС-2011 ) : Перша міжнародна наукова конференція пам'яті професора Володимира Поджаренка : збірник тез доповідей / МОНМС України, ВНТУ. – Вінниця : ВНТУ, 2011. – С. 77.
- Яременко, Н. Г. Фотолюминесцентная спектроскопия односторонне легированные структур n-AlGaAs/GaAs с квантовыми ямами [Текст] / Н. Г. Яременко, М. В. Карачевцева, В. А. Страхов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2012. – № 1. – С. 3-13.
- Динамика накопления неравновесных дырок в квантовых ямах гетероструктур n-AlGaAs/GaAs [Текст] / Н. Г. Яременко, В. А. Страхов, М. В. Карачевцева, Ю. В. Федоров // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2016. – № 4. – С. 301-308.
1
2
|