• Класифікатори
• арсенід, арсенид

арсенід галію, арсенид галлия

Підтеми:

• арсенид галлия-алюминия

Документи:

• Исследование режимов формирования оксидных наноразмерных структур арсенида галлия методом локального анодного окисления [Текст] / О. А. Агеев, В. А. Смирнов, М. С. Солодовник [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2012. – № 2. – С. 43-50.
• Ардышев, М. В. Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами Si28 [Текст] / М. В. Ардышев, В. М. Ардышев // Изв.ВУЗов.Физика. – 2004. – 47, № 3. – 59-65.
• Формирование столбиковых выводов для GaAs пиксельных детекторов [Текст] / З. В. Беришвили, Н. В. Джангидзе, Г. Б. Схиладзе [et al.] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2004. – № 4. – 43-45.
• Беспалов, В. А. ИК фотоприемные интегральные микросхемы на основе арсенида галлия [Текст] / В. А. Беспалов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 5. – 9-13.
• Беспалов, В. А. Исследование зависимости проводимости фоточувствительных слоев арсенида галлия от концентрации примеси марганца [Текст] / В. А. Беспалов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 4. – 27-32.
• Влияние ориентации подложки на захват кремния в А-И В-подрешетки арсенида галлия при молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, Л. Г. Ивонин [и др.] // Изв.ВУЗов.Физика. – 2002. – № 4. – С. 82-85.
• Формирование резких границ раздела В эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs|n-GaAs методом МОС -гидридной эпитаксии [Текст] / Н. М. Вакив, С. И. Круковский, С. Ю. Ларкин [и др.] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2014. – № 2-3. – С. 61-66.
• Вигдорович, Е. Н. Физико-химические свойства неупорядоченных твердых растворов In_1-xGa_x-As_1_xN_x и In_1-xGa_xP_1-xN_x [Текст] / Е. Н. Вигдорович // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 1. – С. 3-8.
• Голуб, В. СВЧ GaAs микросхемы для приемопередатчиков и автомобильных радаров [Текст] / В. Голуб // Электронные компоненты и системы. – 2001. – № 3. – 42-45.
• Субмиллиметровый диод на арсенид-галлиевой наноструктуре [Текст] / Н. М. Гончарук, Н. Ф. Карушкин, В. А. Ореховский, В. В. Малышко // Радіофізика та електроніка. – 2014. – Т. 5(19), № 1. – С. 55-61.
• Горев, Н. Б. Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs [Текст] / Н. Б. Горев, И. Ф. Коджеспирова, Е. Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2008. – № 4. – С. 25-28.
• Горев, Н. Б. Диагностика глубоких центров на границе "пленка-подложка" в тонкопленочных экспитаксиальных структурах GaAs [Текст] / Н. Б. Горев, И. Ф. Коджеспирова, Е. Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2010. – № 4. – С. 53-56.
• Эпитаксиальные структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе слоев GaAs:Sn,Cr [Текст] / С. М. Гущин, Л. П. Порховниченко, В. П. Гермогенов, О. Г. Шмаков // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 5. – 32-37.
• Дмитрієв, В. С. Багатокомпонентні омічні контакти до GaAs [Електронний ресурс] / В. С. Дмитрієв // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. – 2017. – № 3. – С. 1-6.
• Дмитрієв, В. С. Оптимізація режимів формування інжектуючих бар'єрних переходів на основі срібла до арсеніду галію [Електронний ресурс] / В. С. Дмитрієв // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2017. – № 4. – С. 88-92.
• Дмитрієв, В. С. Оптимізація режимів формування інжектуючих бар'єрних переходів на основі срібла до арсеніду галію [Текст] / В. С. Дмитрієв // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2017. – № 4. – С. 88-92.
• Спектральное исследование травления арсенида галия в плазме HCI [Текст] / А. В. Дунаев, С. А. Пивоварёнок, С. П. Капинос [и др.] // Микроэлектроника. – 2011. – Т. 40, № 6. – С. 413-417.
• Егоркин, В. И. Исследование акустического переноса заряда в гетероструктурах на основе арсенида галлия [Текст] / В. И. Егоркин, А. К. Мороча, И. П. Казаков // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 3. – С. 11-14.
• Детекторы терагерцового излучения на основе массивов полевых наногетероструктурных AlGaAs/InGaAs/GaAs транзисторов [Текст] / Д. М. Ермолаев, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2015. – Т. 20, № 5. – С. 481-488.
• Влияние облучения быстрыми нейронами на эпитаксиальный арсенид галлия [Текст] / В. А. Завадский, С. В. Ленков, Д. В. Лукомский, В. А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2002. – № 6. – 7-9.
• Лавинный пробой в полевых транзисторах с затвором Шоттки на GaAs по результатам численного моделирования [Текст] / С. А. Зуев, В. В. Старостенко, В. Ю. Терещенко [et al.] // Прикладная радиоэлектроника. – 2005. – 4, № 3. – 353-356.
• Иванов, В. Н. Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии [Текст] / В. Н. Иванов, В. М. Ковтонюк, Н. С. Раевская // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2004. – № 3. – 55-57.
• Иващук, А. В. Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия [Текст] / А. В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2000. – № 5-6. – 43-45.
• Иващук, А. В. Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия [Текст] / А. В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2000. – № 5-6. – 43-45.
• Іващук, А. В. Формування омічних контактів з одночасним очищенням поверхні арсеніду галію та її легуванням атомами германію [Текст] / А. В. Іващук // Наукові вісті НТУУ КПІ. – 2000. – № 2. – 5-8.
• Камалов, А. Б. Влияние активных воздействий на свойства арсенидгаллиевых диодных структур с барьером шоттки [Текст] / А. Б. Камалов // Изв.ВУЗов.Радиоелектроника. – 2008. – 51, № 2. – С. 31-43.
• Карлова, Г. Ф. Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия [Текст] / Г. Ф. Карлова, Л. П. Умбрас, А. В. Ханин // Изв.ВУЗов.Физика. – 2003. – 46, № 3. – С. 34-36.
• Лебедь, О. М. Фізичні механізми формування структури епітаксійних шарів монокристалів GaAs під час вирощування з рідкої фази [Електронний ресурс] / О. М. Лебедь // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. – 2013. – № 2. – С. 1-4.
• Исследование структуры и состава напряженного эпитаксиального слоя в гетерокомпозиции InAIAS/GaAs(100) методами просвечивающей электронной микроскопии [Текст] / М. В. Ловыгин, Н. И. Боргардт, А. С. Бугаев [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2015. – Т. 20, № 4. – С. 431-439.
• Исследование структуры тонкого слоя алюминия на вицинальной поверхности подложки арсенида галлия методом высокоразрешающей электронной микроскопии [Текст] / М. В. Ловыгин, Н. И. Боргардт, М. Зайбт [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2015. – Т. 20, № 1. – С. 10-16.
• Разработка узкополосного СВЧ микроэлектромеханического переключателя для частотного диапазона 10-12 ГГц на подложках арсенида галлия [Текст] / П. П. Мальцев, М. В. Майтама, А. Ю. Павлов, И. В. Щаврук // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2014. – № 5. – С. 81-87.
• Марков, А. В. Монокристаллы полупроводниковых соединений III-V: современное производство и перспективы его развития [Текст] / А. В. Марков // Изв.ВУЗов.Физика. – 2003. – 46, № 6. – 5-11.
• Моллаев, А. Ю. Эволюция энергетического спектра арсенида галлия под давлением [Текст] / А. Ю. Моллаев, С. Ф. Габибов, Р. К. Арсланов // Физика и техника высоких давлений. – 2004. – 14, № 4. – 140-143.
• Мороча, А. К. К теории распространения и усиления поверхностных акустоэлектрических волн в гетероструктурах на основе GaAs [Текст] / А. К. Мороча, В. И. Егоркин // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2002. – № 6. – 10-16.
• Пешев, В. В. Образование центров Е4(Ec-0,76эВ) в арсениде галлия [Текст] / В. В. Пешев, А. П. Суржиков // Изв.ВУЗов.Физика. – 2002. – № 2. – 3-5.
• Получение эпитаксиальных слоев кадмий-цинк-теллур на подложках арсенида галлия (310) [Текст] / Д. Н. Придачин, А. К. Гутаковский, Ю. Г. Сидоров [et al.] // Изв.ВУЗов.Приборостроение. – 2004. – № 9. – 30-34.
• Тимошенков, В. П. Преобразователь кодов NRZ в NRZM на арсенидгаллиевых гетеропереходных биполярных транзисторах [Текст] / В. П. Тимошенков, В. А. Братов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2008. – № 1. – С. 26-34.
• Толбанов, О. П. Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия [Текст] / О. П. Толбанов // Изв.ВУЗов.Физика. – 2003. – 46, № 8. – 51-61.
• Усанов, Д. А. Измерение подвижности и концентрации носителей заряда в арсенид-галлиевом диоде Ганна с помощью ближнеполевого СВЧ-микроскопа [Текст] / Д. А. Усанов, С. С. Горбатов, В. Ю. Кваско // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2013. – № 2. – С. 77-83.
• Усанов, Д. А. Применение ближнеполевого сканирующего СВЧ-микроскопа для исследования распределения концентрации носителей заряда и электрического поля в арсенид-галлиевом диоде Ганна [Текст] / Д. А. Усанов, С. С. Горбатов, А. В. Фадеев // Радиотехника. XXI век. – 2014. – № 10. – С. 74-77.
• Ефект стимульованого струмом випаровування компонентів кристала арсеніду галію у вакуум [Текст] / В. Ф. Шнюков, Г. Я. Пікус, О. І. Кравченко [et al.] // Український фізичний журнал. – 2000. – 45, № 2. – 193-197.
• Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов [Текст] / А. Г. Яцуненко, В. М. Ковтонюк, В. Н. Иванов, Ю. Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2005. – № 3. – 46-48.