| |
Формирование резких границ раздела В эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs|n-GaAs методом МОС -гидридной эпитаксии [Текст] / Н. М. Вакив, С. И. Круковский, С. Ю. Ларкин [и др.]
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2014. – № 2-3. – С. 61-66.
Разработан способ формирования качественных гетерограниц методом МОСVD в условиях непрерывного роста при изменении температуры кристаллизации.
|
