| |
Получение эпитаксиальных слоев кадмий-цинк-теллур на подложках арсенида галлия (310) [Текст] / Д. Н. Придачин, А. К. Гутаковский, Ю. Г. Сидоров [et al.]
// Изв.ВУЗов.Приборостроение. – 2004. – № 9. – 30-34.
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращивались слои кадмий-цинк-теллур на подложках арсенида галлия. Целью было установление возможности использования этих слоев в качестве согласованной подложки при росте пленок кадмий-ртуть-теллур |
