| |
Беспалов, В. А.
ИК фотоприемные интегральные микросхемы на основе арсенида галлия [Текст] / В. А. Беспалов
// Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 5. – 9-13.
Показано, что для создания ИК-фотоприемников на основе AlGaAs(Mn) с рабочей температурой 45-50 К, чувствительных в спектральном диапазоне 8-14 мкм, необходимо обеспечить оптимизацию фоточувствительного слоя |
