| |
Эпитаксиальные структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе слоев GaAs:Sn,Cr [Текст] / С. М. Гущин, Л. П. Порховниченко, В. П. Гермогенов, О. Г. Шмаков
// Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 5. – 32-37.
Исследованы условия легирования примесями олова и хрома слоев арсенида галлия при выращивании их методом жидкофазной эпитаксии в широком интервале температур |
