| |
Влияние облучения быстрыми нейронами на эпитаксиальный арсенид галлия [Текст] / В. А. Завадский, С. В. Ленков, Д. В. Лукомский, В. А. Мокрицкий
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2002. – № 6. – 7-9.
Показана возможность управления электрофизическими параметрами эпитаксиальных слоев арсенида галлия с помощью радиационной обработки быстрыми нейронами |
