| |
Ардышев, М. В.
Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами Si28 [Текст] / М. В. Ардышев, В. М. Ардышев
// Изв.ВУЗов.Физика. – 2004. – 47, № 3. – 59-65.
Исследовали слоевую концентрацию, концентрационный профиль и подвижность электронов в ионно-легированных Si28 слоях (ИЛС) полуизолирующего GaAs |
