| |
Исследование режимов формирования оксидных наноразмерных структур арсенида галлия методом локального анодного окисления [Текст] / О. А. Агеев, В. А. Смирнов, М. С. Солодовник [и др.]
// Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2012. – № 2. – С. 43-50.
Представлены результаты исследования влияния технологических режимов локального анодного окисления на процесс формирования оксидных наноразмерных структур на поверхности арсенида галлия. |
