Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету

ПРАВИЛА КОРИСТУВАННЯ ЕК
          Субмиллиметровый диод на арсенид-галлиевой наноструктуре [Текст] / Н. М. Гончарук, Н. Ф. Карушкин, В. А. Ореховский, В. В. Малышко
    // Радіофізика та електроніка. – 2014. – Т. 5(19), № 1. – С. 55-61.

   Рабочая частота диода субмиллиметрового диапазона на AlGaN/GaN однобарьерной наноструктуре с нерезонансным туннелированием электронов определяется инерционностью их туннелирования через потенциальный барьер этой структуры.

  УДК 621.382.2


            


Є складовою частиною документа Радіофізика та електроніка [Текст] : щоквартальний науковий журнал / НАН України, ІРЕ ім. О. Я. Усикова. – 2014. – Т. 5(19), № 1.



Теми документа






Український Фондовий Дім Інформаційно-пошукова система
'УФД/Бібліотека'