| |
Лавинный пробой в полевых транзисторах с затвором Шоттки на GaAs по результатам численного моделирования [Текст] / С. А. Зуев, В. В. Старостенко, В. Ю. Терещенко [et al.]
// Прикладная радиоэлектроника. – 2005. – 4, № 3. – 353-356.
Представлены результаты моделирования процессов образования и динамики лавинного пробоя в полевых транзисторах с затвором Шоттки на арсениде галлия в зависимости от электрических режимов и размеров активной области |
