Електронний каталог науково-технічної бібліотеки Вінницького національного технічного університету
кремній, кремний
Підтеми:
Документи:
- Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов [Текст] / В. М. Попов, Ю. М. Шустов, А. С. Клименко, А. П. Поканевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2008. – № 3. – С. 48-51.
- Порєв, Г. В. Інформаційна технологія контролю перегріву рідкої фази у процесі зонної плавки кремнію [Текст] / Г. В. Порєв // Методи та прилади контролю якості. – 2014. – № 2. – С. 93-97.
- Рахлин, В. И. Гомолитические реакции N-бромгексаметилдисилазана с триалкил(фенилалкокси)производными кремния и олова [Текст] / В. И. Рахлин, Т. А. Подгорбунская, М. Г. Воронков // Журнал общей химии. – 2010. – 80, № 5. – С. 760-765.
- Рейви, К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии [Текст] : Пер. с английского / К. Рейви ; Под ред. С.Н. Горина. – М. : Мир, 1984. – 476с : ил.
- Исследование свойств наноразмерных пленок титана-цирконата свинца [Текст] / В. М. Рощин, В. Б. Яковлев, М. В. Силибин, М. С. Ловягина // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2007. – № 5. – 3-7.
- Румак, Н. В. Система кремний-двуокись кремния в МОП-структурах [Текст] / Н. В. Румак. – Минск : Наука и техника, 1985. – 239с : ил.
- Рыгалин, Б. Н. Особенности поведения примесей щелочноземельных металлов в кремнии и германии [Текст] / Б. Н. Рыгалин // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 5. – 14-22.
- Рыгалин, Б. Н. Гиттерирующие примеси в монокристаллах кремния для СБИС [Текст] / Б. Н. Рыгалин, Е. Б. Соколов, В. К. Прокофьева // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2000. – № 4-5. – 71-74.
- Фазові рівноваги в титановому куті гіпоевтектичних сплавів системи Ti-Nb-Si-Al [Текст] / О. Л. Семенова, К. А. Мелешевіч, В. М. Петюх [et al.] // Порошковая металлургия. – 2005. – № 11-12. – 49-59.
- Сидорко, В. Р. Фізико-хімічна взаємодія у системах тривалентних РЗМ із p-елементами IV групи [Текст] / В. Р. Сидорко, М. В. Буланова, К. А. Мелешевич // Порошковая металлургия. – 2005. – № 5/6. – 60-66.
- Скворцов, А. М. Микроструктурирование поверхности монокристаллов кремния в электронной технике [Текст] / А. М. Скворцов, Ю. А. Жарова, В. Л. Ткалич // Изв.ВУЗов.Приборостроение. – 2006. – 49, № 1. – 60-65.
- Вплив дефектів на розподіл концентрації легуючої домішки та дефектоутворення при легуванні кремнію [Текст] / В. А. Сминтина, О. А. Кулініч, М. А. Глауберман [et al.] // Фізика і хімія твердого тіла. – 2007. – 8, № 4. – 694-698.
- Роль пластической деформации в получении нанокремния [Текст] / В. А. Смынтына, А. О. Кулинич, И. Р. Яцунский, И. А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2011. – № 1-2. – С. 22-24.
- Особенности термического окисления кремния, обусловленные структурным несоответствием на межфазной границе [Текст] / В. И. Соколов, В. В. Плотников, А. М. Скворцов [et al.] // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2002. – № 5. – 17-21.
- Кремний и широкозонные нитриды - основа полупроводниковой энергетика [Текст] / Е. Б. Соколов, Б. Н. Рыгалин, В. В. Смирнов [et al.] // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2005. – № 4-5. – 52-57.
- Вплив наноструктуризації кремнію на електричні та фотоелектричні властивості діод Шотткі NI/n-SI [Текст] / М. М. Солован, А. І. Мостовий, В. В. Брус, П. Д. Мар'янчук // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. – 2019. – Т. 17, № 3. – С. 491-506.
- Соловей, В. В. Диагностика субмикронных приповерхностных повреждений в пластинах кремния после двухстороннего химико-механического полирования [Текст] / В. В. Соловей, Ю. М. Литвинов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2005. – № 6. – 32-35.
- Сундучков, К. С. Задачи создания национальной спутниковой системы связи и вещания [Текст] / К. С. Сундучков, М. Е. Ильченко, И. К. Сундучков // Радиотехника. – 2004. – № 138. – 83-87.
- Таланін, В. І. Дослідження процесів утворення мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію, вирощених методом Чохральського [Текст] / В. І. Таланін, І. Є. Таланін // Український фізичний журнал. – 2002. – 47, № 12. – 1153-1157.
- Таланін, В. І. Термодинамічні аспекти моделі утворення мікродефектів у напівпровідниковому кремнії [Текст] / В. І. Таланін, І. Є. Таланін // Український фізичний журнал. – 2003. – 48, № 2. – 123-127.
- Таланін, В. І. Механізм утворення мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію [Текст] / В. І. Таланін, І. Є. Таланін, Д. І. Левінзон // Український фізичний журнал. – 2001. – № 3. – 333-336.
- Таран, Ю. А. Фазовые переходы полупроводник-металл [Текст] / Ю. А. Таран, В. З. Куцова, О. А. Носко // Успехи физики металлов. – 2004. – 5, № 2. – 87-162.
- Теребинская, М. И. Особенности окисления грани (100) кристаллического кремния [Текст] / М. И. Теребинская, В. В. Лобанов // Теоретическая и экспериментальная химия. – 2007. – 43, № 4. – 257-261.
- Тимошенков, В. П. Интегральный эквалайзер гигагерцовского диапазона на гетеропереходных биполярных транзисторах [Текст] / В. П. Тимошенков // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2010. – № 4. – С. 20-27.
- Тимошенков, С. П. Методы сборки и монтажа макетных образцов микроэлектромеханических систем [Текст] / С. П. Тимошенков, А. Н. Бойко, Б. М. Симонов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2010. – № 4. – С. 58-63.
- Исследование структуры и свойств сплавов системы Ti-Si-Zr после торцовой закалки [Текст] / С. В. Ткаченко, А. В. Котко, С. А. Фирстов, В. И. Закиев // Металлофизика и новейшие технологии. – 2009. – Т. 31, № 3. – С. 389-396.
- Филатов, А. Л. Использование фоторефрактивного эффекта для комплексного трехмерного локального измерения электрофизических и термических параметров кремниевых структур [Текст] / А. Л. Филатов, А. В. Луговской // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2008. – № 1. – 74-78.
- Низкотемпературное (менее 1100 градусов Цельсия) испарение кремния и углерода [Текст] / А. И. Харламов, Н. В. Кириллова, Л. А. Карачевцева [et al.] // Доповіді НАНУ. – 2004. – № 6. – 163-170.
- Особенности формирования карбидных фаз в процессе углетермического восстановления B(2)O(3), WO(3) и SiO(2) активированным углеродным волокном [Текст] / А. И. Харламов, Н. В. Кириллова, В. В. Фоменко, З. А. Зайцева // Доповіді НАНУ. – 2002. – № 1. – 110-116.
- Хохлов, А. Ф. Исследование свойств силицина- новой аллотропной формы кремния [Текст] / А. Ф. Хохлов, А. И. Машин, А. В. Ершов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 1. – 5-14.
- Шепіда, М. В. Осадження наноструктурованого осаду срібла на поверхні кремнію методом гальванічного заміщення [Текст] / М. В. Шепіда, Г. І. Зозуля, О. І. Кунтий // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Серія : Хімія, технологія речовин та їх застосування : збірник наукових праць / МОН України. – Львів : Вид-во Львівської політехніки, 2018. – № 886. – С. 79-84.
- Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaAs, легированных кремнием [Текст] / Н. Г. Яременко, М. В. Карачевцева, В. А. Страхов [et al.] // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2008. – № 1. – 10-19.
- ГОСТ 18184.5-79 Наобия пятиокись [Текст] : Метод определения массовой доли окисей алюминия, кальция и железа, двуокисей кремния и титана. – Взамен ГОСТ 18184.5-72.
- ГОСТ 19658-81 Кремний монокристаллический в слитках [Текст] : Технические условия. – Взамен ГОСТ 19658-74.
- ГОСТ 19863.6-91 Сплавы титановые [Текст] : Методы определения кремния. – Взамен ГОСТ 19863.6-74.
- ГОСТ 22536.4-88 Сталь углеродистая и чугун нелегированный [Текст] : Методы определения кремния. – Взамен ГОСТ 22536.4-77.
- ГОСТ 22772.5-77 Руды марганцевые, концентраты и агломераты [Текст] : Метод определения содержания двуокиси кремния. – Взамен ГОСТ 12311-66.
- ГОСТ 22772.5-90 Руды марганцевые, концентраты и агломераты [Текст] : Метод определения двуокиси кремния. – Взамен ГОСТ 22772.5-77.
- ГОСТ 23260.4-78 Мрамор [Текст] : Метод определения содержания двуокиси кремния и суммы окисей алюминия и железа. – Взамен ГОСТ 4416-73. в части пп4.5 и 4.6. 16426-70. в части п5.3.
- ГОСТ 23859.2-79 Бронзы жаропрочные [Текст] : Методы определения кремния.
- ГОСТ 25278.11-82 Сплавы и лигатуры редких металлов [Текст] : Спектральный метод определения кремния, железа, алюминия, титана и кальция в сплавах на основе ниобия.
- ГОСТ 25278.12-82 Сплавы и лигатуры редких металлов [Текст] : Спектральный метод определения кремния, железа, алюминия, марганца и хрома на основе ванадия.
- ГОСТ 25284.8-84 Сплавы цинковые [Текст] : Метод определения кремния. – Взамен ГОСТ 23329.7-78.
- ГОСТ 26239.0-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц [Текст] : Общие требования к методам анализа.
- ГОСТ 26239.2-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц [Текст] : Методы определения бора.
- ГОСТ 26239.3-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц [Текст] : Методы определения фосфора.
- ГОСТ 26239.5-84 Кремний полупроводниковый и кварц [Текст] : Метод определения примесей.
- ГОСТ 26239.7-84 Кремний полупроводниковый [Текст] : Метод определения кислорода, углерода и азота.
- ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения [Текст] : Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния.
- ГОСТ 26327-84 Материалы шлифовальные из карбида кремния [Текст] : Технические условия.
1
2
3
4
|