| Р 35 |
Рейви, К.
Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии [Текст] : Пер. с английского / К. Рейви ; Под ред. С.Н. Горина. – М. : Мир, 1984. – 476с : ил. – 3300.
Посвящена технологии получения полупроводникового кремния высокой чистоты, используемого для производства интегральных микросхем и полупроводниковых приборов различного назначения. Исследовано влияние дефектов и примесей на электрические свойства кристаллов кремния. Для специалистов в области материаловедения и производства полупроводниковых материалов и приборов. |
