• Класифікатори
• бар'єр, барьер

бар'єр Шотткі, барьер Шоттки

Документи:

• МПМ-фотодетектор ультрафиолетового излучения с электрически перестраиваемой спектральной чувствительностью [Текст] / С. В. Аверин, П. И. Кузнецов, В. А. Житов [и др.] // Радиотехника и электроника. – 2013. – Т. 58, № 3. – С. 309-312.
• Эффективность передачи мелкоструктурных и точечных изображений матричными инфракрасными ПЗС с барьерами Шоттки диапазона 1,2-5,5 мкм [Текст] / В. А. Арутюнов, Н. Г. Богатыренко, В. Г. Иванов, А. Е. Прокофьев // Изв.ВУЗов.Приборостроение. – 2004. – № 9. – 38-45.
• Бадія, В. А. Вплив температури та гама-випромінювання на роботу приладів з бар'єром Шотткі [Текст] / В. А. Бадія, Г. Є. Чайка // Український фізичний журнал. – 2003. – 48, № 5. – 477-480.
• Широкополосный малошумящий усилитель на полевых транзисторах с барьером Шотки [Текст] / А. К. Балыко, В. И. Васильев, Н. А. Гусельников [и др.] // Радиотехника. – 2000. – № 2. – С. 83-88.
• Вихрев, С. П. Особенности формирования барьера в структурах металл - неупорядоченный полупроводник [Текст] / С. П. Вихрев, Н. В. Вишняков, А. А. Маслов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2000. – № 3. – 48-54.
• Режимы ограничения пороговых характеристик ИК-фотоприемников на основе барьеров PtSi-Si с поверхностным высоколегированным слоем [Текст] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, С. Н. Несмелов, В. Н. Соколов // Изв.ВУЗов.Физика. – 2002. – № 5. – С. 74-78.
• Горев, Н. Б. Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs [Текст] / Н. Б. Горев, И. Ф. Коджеспирова, Е. Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2008. – № 4. – С. 25-28.
• Горев, Н. Б. Диагностика глубоких центров на границе "пленка-подложка" в тонкопленочных экспитаксиальных структурах GaAs [Текст] / Н. Б. Горев, И. Ф. Коджеспирова, Е. Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2010. – № 4. – С. 53-56.
• Гришин, Е. А. Инфракрасная камера на основе барьеров Шоттки для дневных наблюдений звезд [Текст] / Е. А. Гришин, С. Н. Мелков, В. Л. Миловидов // Приборы и техника эксперимента. – 2003. – № 2. – 83-86.
• Дмитрієв, В. С. Оптимізація режимів формування інжектуючих бар'єрних переходів на основі срібла до арсеніду галію [Електронний ресурс] / В. С. Дмитрієв // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2017. – № 4. – С. 88-92.
• Дмитрієв, В. С. Оптимізація режимів формування інжектуючих бар'єрних переходів на основі срібла до арсеніду галію [Текст] / В. С. Дмитрієв // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2017. – № 4. – С. 88-92.
• Шум вида 1/f в МОП-транзисторах с разным типом проводимости канала при температурах 300 и 77 К [Текст] / Г. П. Жигальский, И. А. Карев, А. А. Гваськов, Г. А. Рудаков // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2007. – № 3. – 81-82.
• Жигальский, Г. П. Избыточные шумы и глубокие уровни в детекторах ядерных частиц и ионизирующего излучения на основе GaAs [Текст] / Г. П. Жигальский, Т. А. Холомина // Радиотехника и электроника. – 2015. – Т. 60, № 6. – С. 553-581.
• Объемная фотоэмиссия из металлических пленок и наночастиц [Текст] / Р. Ш. Ихсанов, В. Е. Бабичева, И. Е. Проценко [и др.] // Квантовая электроника. – 2015. – Т. 45, № 1. – С. 50-58.
• Каламова, А. Б. Модификация свойств контактов Au-Ti(W,Cr, TiBx) - Ga As внешнии воздействиями [Текст] / А. Б. Каламова // Известия вузов. Радиоэлектроника. – 2009. – № 3-4. – С. 71-77.
• Камалова, А. Б. Изменение эффективной толщины переходного слоя стимулированного СВЧ излучителем, в контактах Mo-GaAs [Текст] / А. Б. Камалова // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2009. – № 9-10. – C. 46-51.
• Камалов, А. Б. Влияние активных воздействий на свойства арсенидгаллиевых диодных структур с барьером шоттки [Текст] / А. Б. Камалов // Изв.ВУЗов.Радиоелектроника. – 2008. – 51, № 2. – С. 31-43.
• Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами [Текст] / А. В. Каримов, Д. М. Ёдгорова, Ф. А. Гиясова [и др.] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2013. – № 1. – С. 9-12.
• Керимов, Э. А. Физические свойства контактов с барьером Шоттки на основе силицид иридия - кремний [Текст] / Э. А. Керимов // Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 4. – С. 278-281.
• Керимов, Э. А. Фотоэлектрические и оптические свойства фотодиодов с барьером Шоттки на основе IrSi-Si [Текст] / Э. А. Керимов // Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 2. – С. 119-125.
• Кудрик, Я. Я. Особенности температурной зависимости тока насыщения приямосмещенных диодов Шоттки TiBx - n - 6HSIC [Текст] / Я. Я. Кудрик, С. К. Абдижалиев // Известия вузов. Радиоэлектроника. – 2010. – Т. 53, № 1. – C. 62-64.
• Левінзон, Д. І. Дослідження технологічних властивостей контактної системи Ag-GaAs з бар'єром Шотткі [Текст] / Д. І. Левінзон, Л. Б. Дмитрієва, О. Ю. Небеснюк // Вісник ВПІ. – 2002. – № 2. – 67-69.
• Мамедов, А. К. Аппроксимации температурно-частотных характеристик контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки [Текст] / А. К. Мамедов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2007. – № 1. – 36-40.
• Мещеряков, С. А. К определению высоты барьера Шотки методом Вернера [Текст] / С. А. Мещеряков, А. И. Прокопьев // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2001. – № 3. – С. 29-34.
• Исследование спектральных характеристик фотоприемников с барьером Шотки на основе p-Si-Au [Текст] / В. В. Минаев, В. В. Уздовский, Р. В. Сондаевский, Вл. В. Уздовский // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2005. – № 1. – С. 12-18.
• Нестеров, Д. В. Способ монтажа фоточувствительных приемников ИК-излучения [Текст] / Д. В. Нестеров, Г. А. Рудаков // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2005. – № 2. – С. 90-92.
• Усовершенствование метода создания контактов с барьером Шоттки к пористым полупроводникам [Текст] / А. П. Оксанич, С. Э. Притчин, М. Г. Когдась [и др.] // Радиоэлектроника и информатика. – 2018. – № 3. – С. 24-28.
• Плюснин, Н. И. Спиновые инжекторы и транзисторы для кремниевой спинтроники [Текст] / Н. И. Плюснин // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2016. – № 2. – С. 128-138.
• Электрофизические свойства пленок ЦТС, легированных лантаном [Текст] / Ю. В. Подгорный, А. С. Вишневский, К. А. Воротилов [и др.] // Микроэлектроника. – 2014. – Т. 43, № 6. – С. 468-474.
• Рачет высоты барьера Шоттки на контакте металла с полупроводниковым твердым раствором (SiC) _1-х(AlN_х) [Текст] / Г. К. Сафаралиев, Б. А. Билалов, М. К. Курбанов [и др.] // Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 6. – С. 453-458.
• Формирование и исследование СВЧ полевых транзисторов на основе гетероструктур GaAs/GaAlAs/GaAs [Текст] / Б. И. Селезнев, А. П. Штейнгарт, В. Л. Романов [и др.] // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 2. – С. 32-39.
• Тарновський, М. Г. Дослідження фотоелектричних властивостей арсенід-галлієвих польових транзисторів з бар'єром Шотткі та розробка оптоелектронних комутуючих пристроїв [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.13.05 : захищена 02.07.99 / Микола Геннадійович Тарновський ; ВДТУ. – Вінниця, 1998. – 214 с. : іл. – Бібліогр.: с. 180-194.
• Тарновський, М. Г. Дослідження фотоемісії електронів з металу у напівпровідник при опромінюванні бар'єру Шотткі [Текст] / М. Г. Тарновський, В. С. Осадчук, О. В. Осадчук // Вісник ВПІ. – 1998. – № 1. – С. 110-117.
• Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов [Текст] / А. Г. Яцуненко, В. М. Ковтонюк, В. Н. Иванов, Ю. Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2005. – № 3. – 46-48.