| |
Дмитрієв, В. С.
Оптимізація режимів формування інжектуючих бар'єрних переходів на основі срібла до арсеніду галію [Електронний ресурс] / В. С. Дмитрієв
// Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2017. – № 4. – С. 88-92.
Досліджено умови виготовлення та режими термічної обробки контакту Ag/n-n+GaAs. Визначені: температура підкладки, температура відпалу, час відпалу, швидкість підвищення температури відпалу та охолодження для отримання бар'єрного переходу Ag/n-n+GaAs з висотою бар'єра 0,98 В. Підвищення висоти потенційного бар'єра пов'язане з поліпшенням адгезії плівок, а також початком взаємної дифузії хімічних елементів срібла, галію та миш'яку, що утворюють контакт. |
