| |
Керимов, Э. А.
Физические свойства контактов с барьером Шоттки на основе силицид иридия - кремний [Текст] / Э. А. Керимов
// Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 4. – С. 278-281.
Проведенные эксперименты показывают, что неоднородность границы раздела металл-полупроводник деградирует характеристики диодов Шоттки, в данном случае - высоту барьера. |
