| |
Керимов, Э. А.
Фотоэлектрические и оптические свойства фотодиодов с барьером Шоттки на основе IrSi-Si [Текст] / Э. А. Керимов
// Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 2. – С. 119-125.
Основные процессы, происходящие в фотодиодах с барьером Шоттки, сводятся к поглощению фотонов в слое силицида и внутренней фотоэмиссии носителей из металла в полупроводник. |
