| |
Режимы ограничения пороговых характеристик ИК-фотоприемников на основе барьеров PtSi-Si с поверхностным высоколегированным слоем [Текст] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, С. Н. Несмелов, В. Н. Соколов
// Изв.ВУЗов.Физика. – 2002. – № 5. – С. 74-78.
Рассмотрено влияние изменения потенциального барьера при создании высоколегированного слоя в полупроводнике PtSi-p-Si-структур на соотношение плотностей фонового фототока и темнового тока и спектральную обнаружительную способность фотоприемника при регистрации теплового излучения в диапазоне длин волн 3-5 мкм. |
