| |
Формирование и исследование СВЧ полевых транзисторов на основе гетероструктур GaAs/GaAlAs/GaAs [Текст] / Б. И. Селезнев, А. П. Штейнгарт, В. Л. Романов [и др.]
// Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 2. – С. 32-39.
Исследованы электрофизические характеристики гетероэпитаксиальных структур GaAs/GaAlAs/GaAs и разработаны на их основе технологии изготовления кристаллов СВЧ полевых транзисторов с барьером Шотки. |
