Електронний каталог науково-технічної бібліотеки Вінницького національного технічного університету
напівпровідник, полупроводник
Підтеми:
Документи:
- Колин, Н. Г. Ядерное легирование и радиационное модифицирование полупроводников: состояние и перспективы [Текст] / Н. Г. Колин // Изв.ВУЗов.Физика. – 2003. – 46, № 6. – 12-20.
- Ефекти розведеного магнітного напівпровідника в карбіді кремнію з імплантованими іонами Mn I Fe [Текст] / А. В. Комаров, А. В. Лось, С. М. Рябченко, С. М. Романенко // Український фізичний журнал. – 2011. – Т. 56, № 10. – С. 1056-1067.
- Кондрик, А. И. Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов гамма-излучения на его основе [Текст] / А. И. Кондрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2004. – № 6. – 17-22.
- Конников, С. Г. Электронно-зондовые методы исследования полупроводниковых материалов и приборов [Текст] / С. Г. Конников, А. Ф. Сидоров. – М. : Энергия, 1978. – 136 с.
- Конопелько, В. К. Надежное хранение информации в полупроводниковых запоминающих устройствах [Текст] / В. К. Конопелько, В. В. Лосев. – М. : Радио и связь, 1986. – 236с : ил.
- Концевой, Ю. А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур [Текст] / Ю. А. Концевой, Ю. М. Литвинов, Э. А. Фаттахов. – М. : Радио и связь, 1982. – 239с : ил. – Библиогр.:с. 215-235.
- Копылов, А. В. Современные силовые полупроводниковые ключи фирмы "Infineon Technologies AG" [Текст] / А. В. Копылов // Электротехника. – 2002. – № 12. – 19-24.
- Генерування електронно-діркових пар у власному напівпровіднику в зовнішньому електричному полі [Текст] / С. Л. Королюк, І. М. Раренко, С. С. Королюк, О. В. Галочкін // Український фізичний журнал. – 2003. – 48, № 1. – 69-74.
- Корпусов, М. О. Разрушение нелинейных волн Россби в полупроводниках [Текст] / М. О. Корпусов, А. Г. Свешников // Радиотехника. – 2005. – № 1. – С. 39-43.
- Коршунов, Ф. П. Радиация и полупроводники [Текст] / Ф. П. Коршунов. – Минск : Наука и техника, 1979. – 88 с.
- Сверхпроводимость полупроводников и переходных металлов [Текст] = Superconductivity / М. Коэн, Г. Глэдстоун, М. Йенсен, Дж. Шриффер ; пер. с англ. А. И. Русинова и М. А. Федорова ; под ред. Л. П. Горькова. – Москва : Мир, 1972. – 318 с. – 1,59 р.
- Криворотов, Н. П. Сенсоры высоких, низких и быстропеременных давлений [Текст] / Н. П. Криворотов, Ю. Г. Свинолупов // Изв.ВУЗов.Физика. – 2003. – 46, № 6. – 88-94.
- Крюков, А. И. Энергетика электронных процессов в полупроводниковых фотокаталитических системах [Текст] / А. И. Крюков, С. Я. Кучмий, В. Д. Походенко // Теоретическая и экспериментальная химия. – 2000. – 36, № 2. – 69-89.
- Кучис, Е. В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования [Текст] / Е. В. Кучис. – М. : Радио и связь, 1990. – 264с : ил. – Библиогр.: с.244-260. – ISBN 5-256-00734-3.
- Лев, С. Б. Магнітна залежність енергетичного спектра та інтенсивності переходів екситонів у напівмагнітних напівпроводниках з подвійними квантовими ямами [Текст] / С. Б. Лев, В. Й. Сугаков // Український фізичний журнал. – 2002. – 47, № 4. – 402-406.
- Литовченко, В. Г. Модифіковані графеноподібні плівки як новий клас напівпровідників зі змінною шириною забороненої зони [Текст] / В. Г. Литовченко, М. В. Стріха, М. І. Клюй // Український фізичний журнал. – 2011. – Т. 56, № 2. – С. 178-182.
- Локтев, В. М. Металлизация и сверхпроводимость в многозонном допированном полупроводнике: допированный бором алмаз [Текст] / В. М. Локтев, Ю. Г. Погорелов // Доповіді НАНУ. – 2005. – № 5. – 72-75.
- Лукьянчикова, Н. Б. Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах [Текст] / Н. Б. Лукьянчикова. – М. : Радио и связь, 1990. – 295с : ил. – Библиогр.: с. 278-290. – ISBN 5-256-00496-4.
- Лямичев, И. Я. Приборы на аморфных полупроводниках и их применение [Текст] / И. Я. Лямичев, И. И. Литвак, Н. А. Ощепков. – М. : Сов. радио, 1976. – 129 с. – (Массовая б-ка инженера: Электроника).
- Устройство для измерения электропроводности и термо-ЭДС полупроводников и их расплавов [Текст] / Я. Б. Магомедов, С. Н. Алиев, М. А. Айдамиров, Н. В. Лугуева // Приборы и техника эксперимента. – 2003. – № 6. – 117-120.
- Магомедов, Я. Б. Устройство для измерения теплопроводности полупроводников и их расплавов при высоких температурах [Текст] / Я. Б. Магомедов, Г. Г. Гаджиев // Приборы и техника эксперимента. – 2004. – № 4. – 142-145.
- Малышев, В. А. Учет влияния шума спонтанного излучения в модели устойчивости стационарной генерации полупроводниковых инжекционных лазеров [Текст] / В. А. Малышев, Н. А. Михайлов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2007. – № 5. – 18-22.
- Милнс, А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках [Текст] : Пер. с англ / А. Милнс. – М. : Мир, 1977. – 562 с.
- Минакова, Н. Н. Моделирование процессов эксплуатационных воздействий для дисперснонаполненных полимеров [Текст] / Н. Н. Минакова // Изв.ВУЗов.Физика. – 2000. – № 1. – 41-45.
- Михайлов, А. П. Интегрированный преобразователь частоты миллиметрового диапазона длин волн на волнах пространственного заряда в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью. [Текст] / А. П. Михайлов, С. А. Сергеев, А. А. Горячев // Изв.ВУЗов.Радиоэлектроника. – 2000. – 43, № 1-2. – 16-24.
- Михайлов, С. А. Проектирование матричных сверхбольших интегральных схем [Текст] / С. А. Михайлов. – К. : Тэхника, 1991. – 140с. – ISBN 5-335-00703-6.
- Моллаев, А. Ю. Электронные явления переноса в бинарных и тройных полупроводниках в области полиморфного превращения при высоком давлении [Текст] / А. Ю. Моллаев // Физика и техника высоких давлений. – 2004. – 14, № 1. – 34-43.
- Дослідження матеріалів, в яких відбуваються різкі стрибки ефекту Зеєбека при високому тиску [Текст] / Н. В. Морозова, І. В. Коробєйніков, К. В. Курочка, В. В. Щенніков // Термоелектрика. – 2013. – № 3. – С. 20-24.
- Морозовська, Г. М. Локальний електромеханічний відгук тонких плівок напівпровідників - іоніків [Текст] / Г. М. Морозовська, Г. О. Свєчніков, К. В. Деркач // Український фізичний журнал. – 2011. – Т. 53, № 11. – С. 1213-1220.
- Мотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах [Текст] : В 2 томах / Н. Мотт, Э. Дэвис ; Пер. с англ. Б.Т. Коломийца. – 2-е изд., перераб. и доп. – М. : Мир, 1982. – 658 с : ил.
- Мурыгин, В. И. Влияние атомов примеси на экранировку электрического поля в компенсированных полупроводниках [Текст] / В. И. Мурыгин, В. Б. Гундырев // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2000. – № 3. – 3-8.
- Мурыгин, В. И. Дебаевская длина экранирования электрического поля в полупроводниках с различными примесными уровнями [Текст] / В. И. Мурыгин, В. В. Лосев, В. Б. Гундырев // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2004. – № 1. – 43-47.
- Невдяев, Л. Эра полупроводников [Текст] / Л. Невдяев // Сети Network World. Глобальные сети и телекоммуникации. – 2000. – № 5. – 102-105.
- Исследование сверхтонких полей в полупроводниках системы Cu-Fe-S [Текст] / Н. А. Невзоров, Г. И. Петров, В. Л. Матухин [et al.] // Изв.ВУЗов. Проблемы энергетики. – 2003. – № 7-8. – 114-117.
- Электрические, оптические и магнитные свойства перспективных полумагнитных полупроводников теллурида марганца-теллурида ртути [Текст] / И. М. Несмелова, Н. С. Барышев, М. И. Ибрагимова, В. Ю. Петухов // Оптический журнал. – 2002. – 69, № 12. – 76-80.
- Нестеренко, Б. А. Физические свойства атомарно-чистой поверхности полупроводников [Текст] / Б. А. Нестеренко, О. В. Снитко. – К. : Наукова думка, 1983. – 264с : ил. – Библиогр.: с. 228-261.
- Напряжения несоответствия в пленках YBa2Cu3O7-x [Текст] / В. Н. Никифоров, В. Г. Средин, Ю. В. Кочетков, О. Н. Васильева // Изв.ВУЗов.Физика. – 2000. – № 4. – 87-90.
- Носов, В. Н. Полупроводники и их применение [Текст] / В. Н. Носов. – Москва : ДОСААФ, 1968. – 72 с. – 0,14 р.
- Носов, Ю. Р. Основы физики приборов с зарядовой связью [Текст] / Ю. Р. Носов, В. А. Шилин. – М. : Наука. Гл.ред. физ.-мат.лит, 1986. – 320с. – (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов).
- Оболенский, С. В. Моделирование структуры кластера радиационных дефектов в полупроводниках при нейтронном облучении [Текст] / С. В. Оболенский // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 4. – 49-55.
- Овсюк, В. Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда [Текст] / В. Н. Овсюк ; АН СССР. Сибирское отделение. Ин-т физики полупроводников. – Новосибирск : Наука, 1984. – 253с.
- Овчаров, М. Л. Фотокаталітичні перетворення оксидів азоту: сучасний стан та перспективи (огляд) [Текст] / М. Л. Овчаров, В. М. Гранчак // Теоретична та експериментальна хімія. – 2021. – Т. 57, № 1. – С. 26-50.
- Усовершенствование метода создания контактов с барьером Шоттки к пористым полупроводникам [Текст] / А. П. Оксанич, С. Э. Притчин, М. Г. Когдась [и др.] // Радиоэлектроника и информатика. – 2018. – № 3. – С. 24-28.
- Олейников, В. Е. Совместные измерения компонент тензоров электропроводимости и коэффициента Холла анизотропных полупроводниковых пленок [Текст] / В. Е. Олейников, Н. Н. Поляков // Изв.ВУЗов.Физика. – 2000. – 43, № 6. – 89-95.
- Осадчук, В. С. Индуктивный эффект в полупроводниковых приборах [Текст] / В. С. Осадчук. – К. : Вища школа, 1987. – 155 с.
- Осадчук, В. С. Напівпровідникові перетворювачі інформації [Текст] : Навчальний посібник / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук ; МОН України. – Вінниця : ВНТУ, 2004. – 208 с.
- Осадчук, В. С. Напівпровідникові перетворювачі інформації [Електронний ресурс] : навчальний посібник / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук ; ВНТУ. – Електрон. текстові дані. – Вінниця : ВНТУ, 2004.
- Дослідження впливу температури на фізичні параметри напівпровідника µ-метоксо(купрум(II), бісмут(III)) ацетилацетонату [Електронний ресурс] / О. В. Осадчук, В. В. Мартинюк, М. В. Євсєєва, О. О. Селецька // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2019. – № 4. – С. 80-86.
- Дослідження впливу температури на фізичні параметри напівпровідника µ-метоксо(купрум(II), бісмут(III)) ацетилацетонату [Текст] / О. В. Осадчук, В. В. Мартинюк, М. В. Євсєєва, О. О. Селецька // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2019. – № 4 (145). – С. 80-86.
- Осинский, В. И. Оптоэлектронные структуры на многокомпонентных полупроводниках [Текст] / В. И. Осинский ; АН БССР. Ин-т электроники. – Минск : Наука и техника, 1981. – 208 с.
1
2
3
4
5
6
7
8
|