Електронний каталог науково-технічної бібліотеки Вінницького національного технічного університету
полупроводник компенсированный
Документи:
- Даунов, М. И. Электронные фазовые переходы металл-диэлектрик под давлением в полупроводниках [Текст] / М. И. Даунов, И. К. Камилов, С. Ф. Габибов // Изв.ВУЗов.Физика. – 2004. – 47, № 3. – 48-53.
- Мурыгин, В. И. Барьерная емкость диодных структур на основе компенсированных полупроводников с глубокими примесными уровнями [Текст] / В. И. Мурыгин, В. В. Лосев, В. Б. Гундырев // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 4. – 13-19.
- Мурыгин, В. И. Дебаевская длина экранирования электрического поля в полупроводниках с различными примесными уровнями [Текст] / В. И. Мурыгин, В. В. Лосев, В. Б. Гундырев // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2004. – № 1. – 43-47.
|