| |
Усовершенствование метода создания контактов с барьером Шоттки к пористым полупроводникам [Текст] / А. П. Оксанич, С. Э. Притчин, М. Г. Когдась [и др.]
// Радиоэлектроника и информатика. – 2018. – № 3. – С. 24-28.
Установливается, что качество контактов определяется, главным образом, характером распределения химических элементов в приконтактной области, а также временем и температурой отжига контактной структуры. |
