| |
Оболенский, С. В.
Моделирование структуры кластера радиационных дефектов в полупроводниках при нейтронном облучении [Текст] / С. В. Оболенский
// Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 4. – 49-55.
С помощью моделирования методом Монте-Карло рассчитана детальная структура кластера радиационных дефектов, возникающего при облучении Si и GaAs быстрыми нейтронами |
