Електронний каталог науково-технічної бібліотеки Вінницького національного технічного університету
полупроводник широкозонный
Документи:
- Болгов, С. С. Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников [Текст] / С. С. Болгов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2001. – № 3. – С. 15-18.
- Кудрик, Я. Я. Наноструктурирование антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам [Текст] / Я. Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2013. – № 6. – С. 3-13.
- Лосев, В. В. Характеристики фотоприемников на основе твердых растворов соединений Zn1-xCdxS для УФ- и видимой областей спектра [Текст] / В. В. Лосев, Г. В. Лубегин, Б. М. Орлов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2002. – № 6. – 39-43.
- Попович, Н. И. Применения пленок широкозонного полупроводника ZnGa2S4 для просветления оптических элементов [Текст] / Н. И. Попович, Н. И. Довгошей, И. Э. Качер // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2001. – № 3. – С. 19-20.
- Царик, К. А. Формирование и исследование наногетероструктур AlGaN/GaN с применением атомно - силовой микроскопии [Текст] / К. А. Царик, В. К. Неволин // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2009. – № 6. – С. 44-49.
|