Електронний каталог науково-технічної бібліотеки Вінницького національного технічного університету
травление плазменное
Документи:
- Баранов, Г. В. Изучение влияния шага плазменного травления на шероховатость стенок канала Fin FET в схеме гетероинтеграции [Текст] / Г. В. Баранов, А. П. Миленин, М. Р. Бакланов // Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 3. – С. 197-202.
- Нанопрофилирование кремния с использованием твердой маски оксида алюминия и комбинированного "сухого" травления [Текст] / А. Н. Белов, Ю. А. Демидов, М. Г. Путря, А. А. Голишников // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2009. – № 2. – С. 39-42.
- Галишников, А. А. Формирование наноразмерных структур методом плазменного травления [Текст] / А. А. Галишников, М. Г. Путря, Е. Н. Рыбачек // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 1. – С. 35-39.
- Голишников, А. А. Исследование процесса глубокого анизотропного плазменного травления кремния в парогазовой смеси с пониженной полимеризационной способностью [Текст] / А. А. Голишников, Д. А. Костюков, М. Г. Путря // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 3. – С. 14-19.
- Голишников, А. А. Исследование процесса анизотропного плазменного травления пассивирующих слоев Si_3N_4-SiO_2 в условиях полимеризации [Текст] / А. А. Голишников, М. Г. Путря, А. А. Шабанов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2017. – Т. 22, № 2. – С. 191-194.
- Ефремов, А. М. Параметры плазмы и механизмы травления металлов и полупроводников в смесях HCL + Ar, H_2, O_2 и Cl_2 [Текст] / А. М. Ефремов, Д. Б. Мурин // Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 5. – С. 338-345.
- Путря, М. Г. Методология разработки процессов формирования трехмерных структур СБИС плазменными методами [Текст] / М. Г. Путря // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2001. – № 1. – 5-13.
- Ревенок, В. И. Разработка устройства контроля технологического процесса травления материалов в низкотемпературной плазме [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.11.13 : защищена 28.10.89 / Виктор Иванович Ревенок ; ВПИ. – Винница, 1989. – 199 с. – Библиогр.: с.160-172.
|