| |
Голишников, А. А.
Исследование процесса анизотропного плазменного травления пассивирующих слоев Si_3N_4-SiO_2 в условиях полимеризации [Текст] / А. А. Голишников, М. Г. Путря, А. А. Шабанов
// Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2017. – Т. 22, № 2. – С. 191-194.
Разработан процесс плазменного травления пассивирующей структуры Si3_N_4-SiO_2, обеспечивающий получение анизотропного профиля травления и отсутствие полимерной пленки на поверхности алюминиевых контактных площадок. Рассмотрено влияние различных операционных параметров, таких как расход газовой смеси и ВЧ-мощность, на технологические характеристики процесса плазменного травления диэлектрических слоев нитрида и оксида кремния. Установлена корреляция основных технологических характеристик этого процесса с операционными параметрами.
|
