Електронний каталог науково-технічної бібліотеки Вінницького національного технічного університету
МОП-транзистор
Підтеми:
Документи:
- Адамов, Д. Ю. Анализ устойчивости КМОП дифференциальных усилителей к воздействию накопленной дозы ионизирующих излучений [Текст] / Д. Ю. Адамов, Ю. Ф. Адамов, Е. С. Балака // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2016. – № 2. – С. 145-151.
- Балашов, А. Г. Исследование порогового напряжения вертикальной МОП-структуры с использованием методов приборно-технологческого моделирования [Текст] / А. Г. Балашов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2005. – № 3. – 90-91.
- Бачманов, В. А. Применение табличных моделей туннельных эффектов для ускорения SPICE-моделирования нанометровых МОП-транзисторов [Текст] / В. А. Бачманов, И. В. Заболотнов, А. В. Лапин // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2015. – Т. 20, № 6. – С. 616-624.
- Башкиров, В. Новые серии силовых высоковольтных МОП-транзисторов компании International Rectifier для высоконадежных преобразователей [Текст] / В. Башкиров // Электронные компоненты. – 2002. – № 1. – 84-88.
- Башкиров, В. И. Оптимизированные МОП-транзисторы для инверторов с жесткими и мягкими режимами переключения [Текст] / В. И. Башкиров // Электротехника. – 2002. – № 12. – 10-14.
- Борисов, С. А. Методика построения высокочастотной малосигнальной модели МОП-транзистора [Текст] / С. А. Борисов, А. С. Коротков // Известия вузов. Радиоэлектроника. – 2010. – Т. 53, № 7. – С. 21-30.
- КМОП БИС 16-разрядного микропроцессора, устойчивого к воздействию гамма-радиации [Текст] / В. Г. Вербицкий, В. И. Золотаревский, Л. И. Самотовка [et al.] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2004. – № 6. – 40-44.
- Термостабильный радиационно-стойкий генератор опорного тока на базе полевых транзисторов [Текст] / И. М. Викулин, Л. Ф. Викулина, В. Э. Горбачев, Н. С. Михайлов // Известия вузов. Радиоэлектроника. – 2021. – Т. 64, № 6. – С. 362-373.
- Володин, Е. Б. Двумерное моделирование субмикронных МОП-транзисторов в охлаждаемых ИК-фотоприемниках [Текст] / Е. Б. Володин, Е. А. Игнатьева, В. В. Уздовский // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2007. – № 4. – 21-27.
- Воробьева, Т. А. Комбинированное полевое управление процессом переноса носителей заряда в многослойных полупроводниковых структурах [Текст] / Т. А. Воробьева, Н. Т. Гурин // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2002. – № 5. – 22-30.
- Денисова, Е. А. Управление и считывание сигналов в фотоячейке с вертикально интегрированными р-п-переходами [Текст] / Е. А. Денисова, В. В. Уздовский, В. И. Хайновский // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 5. – С. 48-53.
- Долгий, Л. Н. Технология формирования и электрические характеристики полевого датчика Холла на основе КНИ-структуры [Текст] / Л. Н. Долгий, И. Ю. Ловшенко, В. В. Нелаев // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2013. – № 1. – С. 3-9.
- Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов [Текст] / А. А. Дружинин, В. И. Голота, И. Т. Когут, Ю. Н. Ховерко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2008. – № 4. – С. 20-25.
- Дудкин, В. П. Мощный ключ на МОП-транзисторе с активной параллельной обратной связью по току, управляемой напряжением [Текст] / В. П. Дудкин, А. В. Москалев // Изв.ВУЗов.Радиоэлектроника. – 2003. – 46, № 8. – 75-80.
- Шум вида 1/f в МОП-транзисторах с разным типом проводимости канала при температурах 300 и 77 К [Текст] / Г. П. Жигальский, И. А. Карев, А. А. Гваськов, Г. А. Рудаков // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2007. – № 3. – 81-82.
- Журавлев, Д. В. Эффективность преобразования частоты на наноразмерных МОП-транзисторах с индуцированным каналом в интенсивной помеховой обстановке [Текст] / Д. В. Журавлев, А. И. Мушта // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2015. – Т. 20, № 4. – С. 382-390.
- Королев, М. А. Применение диодов Шотки при формировании силовых планарных МОП-транзисторов [Текст] / М. А. Королев, А. Ю. Красюков, Р. Д. Тихонов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2002. – № 3. – С. 89-91.
- Королев, М. А. Исследование влияния конфигурации области стока на пробивное напряжение планарного МОП-транзистора [Текст] / М. А. Королев, А. Ю. Красюков, Р. Д. Тихонов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 1. – 37-41.
- Королев, М. А. Исследование влияния способов формирования локального окисла на параметры мощных МОП-транзисторов в "интеллектуальных" силовых интегральных схемах [Текст] / М. А. Королев, Р. Д. Тихонов, А. В. Швец // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2001. – № 1. – 29-33.
- Королев, М. А. Исследование влияния структуры пинч-резисторного пассивного канала на параметры МОП-транзисторов [Текст] / М. А. Королев, А. В. Швец, Р. Д. Тихонов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2001. – № 3. – 91-92.
- Королев, М. А. Исследование влияния длины затвора над активным и пассивным каналами на параметры мощных МОП-транзисторов [Текст] / М. А. Королев, А. В. Щвец, Р. Д. Тихонов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2001. – № 5. – 54-58.
- Коротков, А. С. Двойной балансный смеситель на МОП транзисторах [Текст] / А. С. Коротков // Микроэлектроника. – 2011. – Т. 40, № 2. – С. 140-153.
- Кравченко, А. В. Устройство для проверки МОП-транзисторов [Текст] / А. В. Кравченко // Радіоаматор. – 2004. – № 11. – 24-25.
- Кузнецов, Е. В. Моделирование вторичного пробоя латерального ДМОП-транзистора при облучении [Текст] / Е. В. Кузнецов, Д. В. Рязанцев // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2013. – № 4. – С. 18-23.
- Ломакин, С. С. Влияние горячих носителей и ионизирующего излучения на спектр поверхностных состояний в м.о.п.-транзисторах [Текст] / С. С. Ломакин, Г. И. Зебрев // Приборы и техника эксперимента. – 2000. – № 6. – С. 92-96.
- Милешко, Л. П. Механизмы формирования легированного фосфором или бором анодного SiO2 на карбиде кремния [Текст] / Л. П. Милешко // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2007. – № 2. – 10-15.
- Перевертайло, В. Л. Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов [Текст] / В. Л. Перевертайло // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2010. – № 5-6. – С. 22-29.
- Петров, Б. К. Влияние конструктивных параметров на пороговое папряжение наноразмерных р-канальных КНИ МОП-транзисторов [Текст] / Б. К. Петров, А. А. Краснов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 3. – С. 40-43.
- Петросянц, К. О. Учет влияния температуры на радиационный сдвиг порогового напряжения МОП-транзистора в системе TCAD [Текст] / К. О. Петросянц, Д. А. Попов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2013. – № 4. – С. 96-97.
- Анализ средствами TCAD токов утечки 45-нм МОП транзисторной структуры с high-k диэлектриком [Текст] / К. О. Петросянц, Д. А. Попов, Л. М. Самбурский, И. А. Харитонов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2015. – Т. 20, № 1. – С. 38-43.
- Петросянц, К. О. BSIMSOI-RAD - макромоделей КНИ\КНС МОП-транзистора для схемотехнического расчета КМОП БИС с учетом радиационных эффектов [Текст] / К. О. Петросянц, Л. М. Самбурский, И. А. Харитонов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2010. – № 5. – С. 64-65.
- Рене, Манте Высоковольтный транзистор CoolMOS™ в корпусе SOT-223 [Текст] / М. Рене // Электронные компоненты. – 2016. – № 12. – C. 46-47.
- Русанов, А. В. Исследование интегрального МОП-транзистора для микромощных интегральных схем [Текст] / А. В. Русанов, А. А. Осыкин, Ю. С. Балашов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2016. – Т. 21, № 3. – С. 224-229.
- Сивченко, А. С. Методика определения дефектности подзатворного диэлектрика с использованием ускоренных испытаний тестовых структур [Текст] / А. С. Сивченко // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2015. – Т. 20, № 3. – С. 304-312.
- Смирнов, А. И. Линейный ИК-фотопреобразователь со схемой считывания фотосигналов на основе МОП-транзисторов [Текст] / А. И. Смирнов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2000. – № 2. – 75-79.
- Сопова, О. В. Способ повышения устойчивости двухзатворного МОП-транзистора к короткоканальным эффектам [Текст] / О. В. Сопова // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2005. – № 3. – 92-93.
- Филипов, В. В. Моделирование электрических параметров каналов кремниевых МОП-транзисторов на деформированной подложке [Текст] / В. В. Филипов, Б. К. Петров, Ю. М. Мяснянкин // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2009. – № 6. – С. 21-27.
- Чаплыгин, Ю. А. Зависимость теплового сопротивления мощного МОП-транзистора на подложке кремний-на- изоляторе от конструктивно-технологических параметров его структуры [Текст] / Ю. А. Чаплыгин, Е. А. Артамонова, А. Ю. Красюков // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 5. – С. 44-47.
- Эль, Машад М. Б. Модель переходных процессов для современных микроэлектронных устройств, применимая в ЭКВ модели p-МОП-структуры [Текст] / Машад М. Б. Эль, А. А. Монем // Известия вузов. Радиоэлектроника. – 2021. – Т. 64, № 2. – С. 77-93.
|