| |
Перевертайло, В. Л.
Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов [Текст] / В. Л. Перевертайло
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2010. – № 5-6. – С. 22-29.
Определены требования к конструкциии и технологии изготовления p-канальных и n-канальных МОП-транзисторов с толстым слоем оксида. |
