Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету
диод Шоттки
Документи:
- Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки [Текст] / Л. П. Ануфриев, В. В. Баранов, Я. А. Соловьев, М. В. Тарасиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2005. – № 4. – 55-56.
- Каламова, А. Б. Модификация свойств контактов Au-Ti(W,Cr, TiBx) - Ga As внешнии воздействиями [Текст] / А. Б. Каламова // Известия вузов. Радиоэлектроника. – 2009. – № 3-4. – С. 71-77.
- Камалов, А. Б. Деградационные явления в диодах Шоттки Au-Pt-GaAs, стимулированные активными обработками [Текст] / А. Б. Камалов, С. Е. Бекбергенов // Український фізичний журнал. – 2008. – 53, № 7. – 661-663.
- Керимов, Э. А. Физические свойства контактов с барьером Шоттки на основе силицид иридия - кремний [Текст] / Э. А. Керимов // Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 4. – С. 278-281.
- Клюев, А. В. Детектирование случайного процесса с использованием диода Шоттки с [дельта]-легированием [Текст] / А. В. Клюев // Радиотехника и электроника. – 2013. – Т. 58, № 2. – С. 199-206.
- Королев, М. А. Применение диодов Шотки при формировании силовых планарных МОП-транзисторов [Текст] / М. А. Королев, А. Ю. Красюков, Р. Д. Тихонов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2002. – № 3. – С. 89-91.
- Кудрик, Я. Я. Особенности температурной зависимости тока насыщения приямосмещенных диодов Шоттки TiBx - n - 6HSIC [Текст] / Я. Я. Кудрик, С. К. Абдижалиев // Известия вузов. Радиоэлектроника. – 2010. – Т. 53, № 1. – C. 62-64.
- Усовершенствование метода создания контактов с барьером Шоттки к пористым полупроводникам [Текст] / А. П. Оксанич, С. Э. Притчин, М. Г. Когдась [и др.] // Радиоэлектроника и информатика. – 2018. – № 3. – С. 24-28.
- Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов [Текст] / В. М. Попов, Ю. М. Шустов, А. С. Клименко, А. П. Поканевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2008. – № 3. – С. 48-51.
- Попов, С. Силовые диоды Шоттки. Часть 1 [Текст] / С. Попов // Электронные компоненты. – 2002. – № 8. – С. 77-81.
- Потапов, С. Диоды Шоттки для преобразовательной техники. Часть 3. Система обозначений диодов Шоттки [Текст] / С. Потапов // Электронные компоненты. – 2002. – № 5. – С. 133-134.
- Влияние режимов формирования на свойства ионно-кремниевых диодных структур [Текст] / Р. В. Рыжук, Н. И. Каргин, Б. А. Билалов, В. А. Гудков // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2009. – № 5. – С. 7-14.
- Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов статического электричества [Текст] / В. А. Солодуха, А. С. Турцевич, Я. А. Соловьёв, И. И. Рубцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2012. – № 5. – С. 22-26.
- Томас, Барбьери Выбор карбидокремниевых диодов Шоттки [Текст] / Б. Томас // Электронные компоненты. – 2015. – № 10. – С. 70-73.
|
