| |
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов [Текст] / В. М. Попов, Ю. М. Шустов, А. С. Клименко, А. П. Поканевич
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2008. – № 3. – С. 48-51.
Показано, что травление кремния ионами с низкой энергией является эффективным средством целенаправленной модификации электрофизических свойств его поверхности. |
