• Класифікатори
• нітрид, нитрид

нітрид галію, нитрид галлия

Документи:

• Глубокие центры захвата в структурах на основе GaN [Текст] / Л. Э. Великовский, Т. С. Китиченко, Т. Г. Колесникова [et al.] // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2002. – № 6. – 25-30.
• Вигдорович, Е. Н. Возможности улучшения функциональных характеристик нитрида галлия при эпитаксии из газовой фазы [Текст] / Е. Н. Вигдорович // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2015. – Т. 20, № 4. – С. 350-356.
• Вигдорович, Е. Н. Физико-химические свойства неупорядоченных твердых растворов In_1-xGa_x-As_1_xN_x и In_1-xGa_xP_1-xN_x [Текст] / Е. Н. Вигдорович // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 1. – С. 3-8.
• Вигдорович, Е. Н. Рентгенодифрактометрические исследования структурных свойств слоев твердых растворов на основе нитрида галлия [Текст] / Е. Н. Вигдорович, И. Г. Ермошин // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2016. – Т. 21, № 5. – С. 399-404.
• Гримальский, В. В. Супергетеродинное усиление электромагнитных волн оптического и терагерцового диапазонов в пленках нитрида галлия [Текст] / В. В. Гримальский, С. В. Кошевая, Ю. Г. Рапопорт // Известия вузов. Радиоэлектроника. – 2011. – Т. 54, № 8. – С. 3-12.
• Влияние алмазного теплового распределителя на характеристики транзисторов на основе нитридов галлия [Текст] / К. С. Гришаков, В. Ф. Елесин, Н. И. Каргин [и др.] // Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 1. – С. 44-56.
• Туннелирование через двухбарьерную туннельно-резонансную гетероструктуру на основе GaN/AIN [Текст] / В. И. Егоркин, Э. А. Ильичев, М. Н. Журавлев [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2013. – № 5. – С. 65-69.
• Егоркин, В. Н. Моделирование электронного транспорта в туннельно-резонансных гетероструктурах GaN/AlGaN [Текст] / В. Н. Егоркин, М. Н. Журавлев, В. В. Капаев // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 2. – C. 3-8.
• Найда, Г. А. Технологические закономерности выращивания структур AlN и GaN на сапфире при использовании неорганических донорно-акцепторных комплексов [Текст] / Г. А. Найда, В. В. Смирнов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2005. – № 3. – 7-13.
• Рогозін, І. В. Теоретичний аналіз високотемпературної рівноваги власних точкових дефектів у бездомішковому нітриді галію [Текст] / І. В. Рогозін, О. В. Мараховський // Фізика і хімія твердого тіла. – 2008. – 9, № 2. – 319-324.
• Сиротюк, С. В. Електронна енергетична структура нітридів галію та індію, отримана у змішаному базисі з новим функціоналом обмінної енергії [Текст] / С. В. Сиротюк // Український фізичний журнал. – 2009. – Т. 53, № 12. – С. 1242-1245.
• Смирнов, В. В. Влияние разориентации R-плоскости сапфира на процесс гетероэпитаксиального осаждения нитридов алюминия и галлия [Текст] / В. В. Смирнов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2005. – № 1. – С. 5-11.
• Стороженко, І. П. Терагерцові коливання в InN-діодах Ганна з довжиною активної області 1 мкм та з GaInN варизонним шаром [Текст] / І. П. Стороженко, С. І. Санін // Радіофізика і радіоастрономія. – 2022. – Т. 27, № 4. – С. 289-298.
• Фізико-хімічні аспекти матеріалів підкладок для епітаксійного вирощування плівок GaN (огляд) [Текст] / Г. О. Сукач, В. В. Кідалов, А. С. Ревенко [et al.] // Фізика і хімія твердого тіла. – 2007. – 8, № 2. – 227-237.
• Термодинамічні розрахунки діаграми плавкості системи Fe–Ga–N в контексті кристалізації нітриду галію в умовах високих температур та тисків [Текст] / В. З. Туркевич, Ю. Ю. Румянцева, Ю. І. Садова [та ін.] // Надтверді матеріали. – 2022. – № 2 (256). – С. 3-10.
• Разработка монолитных интегральных схем для Ka-, V- и W-диапазонов на основе нитрида галлия [Текст] / Ю. В. Федоров, Д. Л. Гнатюк, А. С. Бугаев [и др.] // Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 2. – С. 135-143.
• Царик, К. А. Формирование и исследование наногетероструктур AlGaN/GaN с применением атомно - силовой микроскопии [Текст] / К. А. Царик, В. К. Неволин // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2009. – № 6. – С. 44-49.