| |
Туннелирование через двухбарьерную туннельно-резонансную гетероструктуру на основе GaN/AIN [Текст] / В. И. Егоркин, Э. А. Ильичев, М. Н. Журавлев [и др.]
// Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2013. – № 5. – С. 65-69.
Приведены результаты изготовления двухбарьерной туннельно-резонансной структуры, выращенной на основе широкозонных материалов GaN/AIN на сапфировой подложке с ориентацией (0001). |
