Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету
нитрид галлия
Документи:
- Глубокие центры захвата в структурах на основе GaN [Текст] / Л. Э. Великовский, Т. С. Китиченко, Т. Г. Колесникова [et al.] // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2002. – № 6. – 25-30.
- Вигдорович, Е. Н. Возможности улучшения функциональных характеристик нитрида галлия при эпитаксии из газовой фазы [Текст] / Е. Н. Вигдорович // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2015. – Т. 20, № 4. – С. 350-356.
- Вигдорович, Е. Н. Физико-химические свойства неупорядоченных твердых растворов In_1-xGa_x-As_1_xN_x и In_1-xGa_xP_1-xN_x [Текст] / Е. Н. Вигдорович // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 1. – С. 3-8.
- Вигдорович, Е. Н. Рентгенодифрактометрические исследования структурных свойств слоев твердых растворов на основе нитрида галлия [Текст] / Е. Н. Вигдорович, И. Г. Ермошин // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2016. – Т. 21, № 5. – С. 399-404.
- Гримальский, В. В. Супергетеродинное усиление электромагнитных волн оптического и терагерцового диапазонов в пленках нитрида галлия [Текст] / В. В. Гримальский, С. В. Кошевая, Ю. Г. Рапопорт // Известия вузов. Радиоэлектроника. – 2011. – Т. 54, № 8. – С. 3-12.
- Влияние алмазного теплового распределителя на характеристики транзисторов на основе нитридов галлия [Текст] / К. С. Гришаков, В. Ф. Елесин, Н. И. Каргин [и др.] // Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 1. – С. 44-56.
- Туннелирование через двухбарьерную туннельно-резонансную гетероструктуру на основе GaN/AIN [Текст] / В. И. Егоркин, Э. А. Ильичев, М. Н. Журавлев [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2013. – № 5. – С. 65-69.
- Егоркин, В. Н. Моделирование электронного транспорта в туннельно-резонансных гетероструктурах GaN/AlGaN [Текст] / В. Н. Егоркин, М. Н. Журавлев, В. В. Капаев // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 2. – C. 3-8.
- Найда, Г. А. Технологические закономерности выращивания структур AlN и GaN на сапфире при использовании неорганических донорно-акцепторных комплексов [Текст] / Г. А. Найда, В. В. Смирнов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2005. – № 3. – 7-13.
- Смирнов, В. В. Влияние разориентации R-плоскости сапфира на процесс гетероэпитаксиального осаждения нитридов алюминия и галлия [Текст] / В. В. Смирнов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2005. – № 1. – С. 5-11.
- Разработка монолитных интегральных схем для Ka-, V- и W-диапазонов на основе нитрида галлия [Текст] / Ю. В. Федоров, Д. Л. Гнатюк, А. С. Бугаев [и др.] // Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 2. – С. 135-143.
- Царик, К. А. Формирование и исследование наногетероструктур AlGaN/GaN с применением атомно - силовой микроскопии [Текст] / К. А. Царик, В. К. Неволин // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2009. – № 6. – С. 44-49.
|
