Електронний каталог науково-технічної бібліотеки Вінницького національного технічного університету
пам'ять енергонезалежна, память энергонезависимая
Документи:
- Васильев, Е. С. Методика расчета параметров усилителей считывания для ЭСППЗУ и флэш-памяти [Текст] / Е. С. Васильев // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2012. – № 4. – С. 32-39.
- Гуляев, Ю. В. Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов [Текст] / Ю. В. Гуляев, А. Г. Ждан, Г. В. Чучева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2011. – № 3. – С. 3-5.
- Карташёв, С. С. Моделирование элемента памяти с учетом дискретного зарядового состояния плавающего затвора МОП-транзисторов [Текст] / С. С. Карташёв, В. В. Лосев // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2016. – Т. 21, № 6. – С. 586-589.
- Кичак, В. М. Підвищення радіаційної стійкості енергонезалежних запам'ятовувальних пристроїв на базі халькогенідних склоподібних напівпровідників [Текст] / В. М. Кичак, І. В. Слободян, В. Л. Вовк // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2019. – № 4 (145). – С. 116-123.
- Кичак, В. М. Підвищення радіаційної стійкості енергонезалежних запам'ятовувальних пристроїв на базі халькогенідних склоподібних напівпровідників [Електронний ресурс] / В. М. Кичак, І. В. Слободян, В. Л. Вовк // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2019. – № 4. – С. 116-123.
- Эффект резистивного переключения в структурах TiN/Hf_xAl_1-xO_y/TiN и TiN/HfO_2/Ti/TiN [Текст] / О. М. Орлов, Е. С. Горнеев, А. В. Шадрин [и др.] // Микроэлектроника. – 2014. – Т. 43, № 5. – С. 337-342.
- Исследование характеристик и особенностей изготовления элементов энергонезависимой памяти FRAM, полученных с использованием процессов атомно-слоевого осаждения [Текст] / О. М. Орлов, А. М. Маркеев, А. В. Зенкевич, А. Г. Черникова // Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 4. – С. 280-288.
- Ячейка энергонезависимой памяти на эффекте резистивного переключения в оксидных пленках Hf_xAl_1-xO_y [Текст] / О. М. Орлов, А. А. Чуприк, А. С. Батурин [и др.] // Микроэлектроника. – 2014. – Т. 43, № 4. – С. 243-249.
- Слободян, І. В. Швидкість програмування енергонезалежної пам'яті на базі ХСН [Електронний ресурс] / І. В. Слободян // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. – 2014. – № 3. – С. 1-10.
|