| |
Исследование характеристик и особенностей изготовления элементов энергонезависимой памяти FRAM, полученных с использованием процессов атомно-слоевого осаждения [Текст] / О. М. Орлов, А. М. Маркеев, А. В. Зенкевич, А. Г. Черникова
// Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 4. – С. 280-288.
Представлены результаты исследований структурных и элекстрических свойств материалов на основе оксида гафния, выращенных методом АСО, показана возможность и перспективы использования их наноразмерных пленок в элементах энергонезависимой памяти типа FRAM |
