ERROR
Запропонована структура радіаційно стійкої комірки пам'яті, в якій як перемикальний елемент використовується плівка халькогенідного склоподібного напівпровідника, а як елемент розв'язки використано уніполярний транзистор. Перемикальний елемент є стійким до дії радіації, а радіаційна стійкість уніполярного транзистора на декілька порядків нижча. Тому в роботі запропоновано спосіб підвищення радіаційної стійкості уніполярних транзисторів. Розроблена фізична модель комірки пам'яті на базі халькогенідних склоподібних напівпровідників та запропоновані аналітичні вирази для розрахунку залежності параметрів моделі від дози опромінення.
Завантажити Додати до списку
Є складовою частиною документа Вісник Вінницького політехнічного інституту [Електронний ресурс] : науковий журнал / МОНУ, ВНТУ. – Електрон. журн. – 2019. – № 4.
Теми документа
Статистика використання: Завантажень: 1