| |
Эффект резистивного переключения в структурах TiN/Hf_xAl_1-xO_y/TiN и TiN/HfO_2/Ti/TiN [Текст] / О. М. Орлов, Е. С. Горнеев, А. В. Шадрин [и др.]
// Микроэлектроника. – 2014. – Т. 43, № 5. – С. 337-342.
Изготовлены мемристорные структуры вида металл-оксид-металл с двухслойным оксидом, включающим слой стехиометрического оксида гафния и нестехиометрического оксида гафния, допированного алюминием. |
