Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету

ПРАВИЛА КОРИСТУВАННЯ ЕК
          Кичак, В. М.
    Підвищення радіаційної стійкості енергонезалежних запам'ятовувальних пристроїв на базі халькогенідних склоподібних напівпровідників [Текст] / В. М. Кичак, І. В. Слободян, В. Л. Вовк
    // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2019. – № 4 (145). – С. 116-123.

   Запропонована структура радіаційно стійкої комірки пам'яті, в якій як перемикальний елемент використовується плівка халькогенідного склоподібного напівпровідника, а як елемент розв'язки використано уніполярний транзистор. Перемикальний елемент є стійким до дії радіації, а радіаційна стійкість уніполярного транзистора на декілька порядків нижча. Тому в роботі запропоновано спосіб підвищення радіаційної стійкості уніполярних транзисторів. Розроблена фізична модель комірки пам'яті на базі халькогенідних склоподібних напівпровідників та запропоновані аналітичні вирази для розрахунку залежності параметрів моделі від дози опромінення.

  УДК 621.382


            


Є складовою частиною документа Вісник Вінницького політехнічного інституту [Текст] : науковий журнал / МОНУ, ВНТУ. – 2019. – № 4 (145).



Теми документа






Український Фондовий Дім Інформаційно-пошукова система
'УФД/Бібліотека'