• Класифікатори
• діод, диод

діод лазерний, диод лазерный

Документи:

• Использование оптоволокна для вывода излучения полупроводникового лазерного диода из камеры высокого гидростатического давления [Текст] / R. Bohdan, A. Bercha, P. Adamiec [et al.] // Приборы и техника эксперимента. – 2004. – № 3. – 161-163.
• Полупроводниковый лазер с выводом излучения через подложку с улучшенными энергетическими характерстиками и сверхузкой диаграммой направленности [Текст] / В. Я. Алешкин, Т. С. Бабушкина, А. А. Бирюков [и др.] // Квантовая электроника. – 2010. – Т. 40, № 10. – С. 855-859.
• Оптимизация оптических свойств длинноволнового лазерного диода на квантовой яме GaInNAs [Текст] / М. С. Альяс, А. Н. Аль-Омари, Ф. Маскурий [и др.] // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 11. – С. 1009-1013.
• Повышение выходной мощности одиночных лазерных диодов спектральной области 808 нм при использовании алмазных теплоотводящих элементов, полученных методом осаждения из газовой фазы в СВЧ плазме [Текст] / Е. Е. Ашкинази, В. В. Безотосный, В. Ю. Бондарев [и др.] // Квантовая электроника. – 2012. – Т. 42, № 11. – С. 959-960.
• Излучательные параметры и тепловой режим мощных одиночных лазерных диодов спектрального диапазона 980 нм [Текст] / В. В. Безотосный, О. Н. Крохин, В. А. Олещенко [и др.] // Квантовая электроника. – 2014. – Т. 44, № 2. – С. 145-148.
• Лазерные диоды на длине волны 980 нм с непрерывной мощностью 15 Вт на теплоотводящих элементах типа F-маунтов [Текст] / В. В. Безотосный, О. Н. Крохин, В. А. Олещенко [и др.] // Квантовая электроника. – 2015. – Т. 45, № 12. – С. 1088-1090.
• Моделирование теплового режима мощных лазерных диодов, смонтированных с использованием сабмаунтов различного типа [Текст] / В. В. Безотосный, О. Н. Крохин, В. А. Олещенко [и др.] // Квантовая электроника. – 2014. – Т. 44, № 10. – С. 899-902.
• Особенности спектров генерации и тепловое сопротивление непрерывных лазерных диодов с длиной волны излучения 976 нм и мощностью до 15 Вт [Текст] / В. В. Безотосный, О. Н. Крохин, В. А. Олещенко [и др.] // Квантовая электроника. – 2016. – Т. 44, № 8. – С. 679-681.
• Белявский, В. С. Учет влияния фазовой неоднородности излучения лазерного диода на точность измерения расстояний [Текст] / В. С. Белявский, И. С. Манак // Изв.ВУЗов.Приборостроение. – 2006. – 49, № 8. – 60-64.
• Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGa/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов [Текст] / П. В. Булаев, О. И. Говорков, Т. Д. Залевский [et al.] // Квантовая электроника. – 2002. – 32, № 3. – 216-218.
• Излучатель на эрбиевом стекле с поперечной полупроводниковой накачкой и пассивной модуляцией добротности [Текст] / В. Н. Быков, А. А. Изынеев, А. Г. Садовой [et al.] // Квантовая электроника. – 2008. – 38, № 3. – 209-212.
• Линейки импульсных лазерных диодов спектрального диапазона 1.5-1.6 мкм на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур AlGaInAs/InP [Текст] / П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин [и др.] // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 9. – С. 822-823.
• Мощные импульсные лазерные диоды спектрального диапазона 1.5-1.6 мкм [Текст] / П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин [и др.] // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 9. – С. 819-821.
• Двухволновые лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур [Текст] / Е. И. Давыдова, В. П. Коняев, М. А. Ладугин [и др.] // Квантовая электроника. – 2010. – Т. 40, № 8. – С. 697-699.
• Линейки лазерных диодов с длиной волны излучения 808 нм на основе двойных эпитаксиально-интегрированных гетероструктур [Текст] / Е. И. Давыдова, В. П. Коняев, М. А. Ладугин [и др.] // Квантовая электроника. – 2010. – Т. 40, № 8. – С. 682-684.
• Многоканальный модулятор излучения линейки лазерных диодов [Текст] / С. И. Державин, В. В. Кузьминов, Д. А. Машковський, В. Н. Тимошкин // Квантовая электроника. – 2007. – 37, № 7. – 639-644.
• Влияние особенностей формирования квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/(AI)GaAs на спектральные характеристики лазерных диодов, изготовленных на их основе [Текст] / В. П. Дураев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица [et al.] // Квантовая электроника. – 2008. – 38, № 2. – 97-102.
• Экспериментальное исследование низкочастотных амплитудных шумов лазерного диода с волоконной брэгговской решеткой [Текст] / В. С. Жолнеров, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, В. И. Романцевич // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 9. – С. 824-827.
• Задорожный, В. В. Построение распределительной системы многоэлементных АФАР на основе аналоговых волоконно-оптических линий связи [Текст] / В. В. Задорожный, А. Ю. Ларин, А. С. Трекин // Радиотехника. XXI век. – 2014. – № 8. – С. 106-109.
• Перестраиваемый широкоапертурный полупроводниковый лазер с внешним волноводно-решеточным зеркалом [Текст] / Б. Н. Звонков, К. Е. Зиновьев, Д. Х. Нурлигареев [et al.] // Квантовая электроника. – 2001. – 31, № 1. – 35-38.
• Усиленная люминесценция и выходные характеристики мощных линеек лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов [Текст] / В. В. Кабанов, Е. В. Лебедок, А. А. Романенко [и др.] // Квантовая электроника. – 2011. – Т. 41, № 2. – С. 95-98.
• Оптимизация параметров квантрона твердотельного лазера с диодной накачкой на основе метода "светового котла" [Текст] / В. В. Кийко, В. И. Кислов, Е. Н. Офицеров, А. Г. Суздальцев // Квантовая электроника. – 2015. – Т. 45, № 6. – С. 511-514.
• Мощные импульсные лазерные излучатели спектрального диапазона 850-870 нм на основе гетероструктур с узкими и широкими волноводами [Текст] / М. А. Ладугин, Ю. П. Коваль, А. А. Мармалюк [и др.] // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 5. – С. 407-409.
• Высокоэффективный полупроводниковый оптический усилитель спектрального диапазона 820-860 нм [Текст] / А. А. Лобинцов, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин [и др.] // Квантовая электроника. – 2010. – Т. 40, № 4. – С. 305-309.
• Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaPAs/GaAs с компенсацией механических напряжений [Текст] / А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, И. В. Яроцкая [и др.] // Квантовая электроника. – 2012. – Т. 42, № 1. – С. 15-17.
• Полупроводниковые AlGaInAs / InP-лазеры со сверхузкими волноводами [Текст] / А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук [и др.] // Квантовая электроника. – 2017. – Т. 47, № 3. – С. 272-274.
• Микаелян, Г. Т. Анализ тепловых режимов мощных полупроводниковых лазеров и наборных решеток [Текст] / Г. Т. Микаелян // Квантовая электроника. – 2006. – 36, № 3. – 222-227.
• Паращук, В. В. Влияние тепловых процессов на критические режимы работы мощных лазерных диодов [Текст] / В. В. Паращук, М. В. Зоан // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 10. – С. 907-913.
• Пузин, И. Источники оптического излучения для AON [Текст] / И. Пузин // Сети и телекоммуникации. – 2002. – № 3. – 60-66.
• Светиков, В. В. Широкоапертурный секционированный лазерный диод во внешнем V-образном резонаторе [Текст] / В. В. Светиков, Д. Х. Нурлигареев // Квантовая электроника. – 2014. – Т. 44, № 9. – С. 810-814.
• Коллимация пучка атомов тулия с помощью двумерной оптической патоки [Текст] / Д. Д. Сукачёв, Е. С. Калганова, А. В. Соколов [и др.] // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 4. – С. 374-378.
• Суприган, В. А. Математичне моделювання процесу паралельного передавання зображень за допомогою масиву ВОЛЗ [Текст] / В. А. Суприган, Д. У. Абу // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. – 2001. – № 1. – С. 278-283.
• Пространственно-разрешенный анализ контактных напряжений в линейках лазерных диодов на основе эффекта деформационного потенциала [Текст] / А. В. Фомин, Е. В. Смирнов, А. В. Вязовцев, Н. И. Миловидов // Приборы и техника эксперимента. – 2014. – № 6. – С. 79-84.
• Чельный, А. А. Оптимизация легирования эмиттеров в лазерных гетероструктурах AlGaInP/GaInP [Текст] / А. А. Чельный, А. В. Алуев, С. В. Маслов // Квантовая электроника. – 2004. – 34, № 1. – 2-4.
• ГОСТ 17490-77 Лазеры и излучатели инжекционные, диоды лазерные [Текст] : Основные параметры.
• Лазерные диоды фирмы SHARP [Текст] // Радіоаматор. – 2002. – № 11. – С. 34.