| |
Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGa/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов [Текст] / П. В. Булаев, О. И. Говорков, Т. Д. Залевский [et al.]
// Квантовая электроника. – 2002. – 32, № 3. – 216-218.
Методом МОС-гидридной эпитаксии изготовлены лазерные гетероструктуры с активной областью |
