| |
Чельный, А. А.
Оптимизация легирования эмиттеров в лазерных гетероструктурах AlGaInP/GaInP [Текст] / А. А. Чельный, А. В. Алуев, С. В. Маслов
// Квантовая электроника. – 2004. – 34, № 1. – 2-4.
Исследовано влияние уровня легирования эмиттеров на характеристики лазерных диодов, изготовленных на основе системы AlGaInP/GaInP/GaAs и излучающих на длине волны 670-680 нм |
