| |
Излучатель на эрбиевом стекле с поперечной полупроводниковой накачкой и пассивной модуляцией добротности [Текст] / В. Н. Быков, А. А. Изынеев, А. Г. Садовой [et al.]
// Квантовая электроника. – 2008. – 38, № 3. – 209-212.
Исследованы возможности излучателя на иттербий-эрбиевом стекле с пассивным модулятором добротности и накачкой от линеек лазерных диодов |
