• Класифікатори
• епітаксія, эпитаксия

епітаксія молекулярно-променева, эпитаксия молекулярно-лучевая

Документи:

• Наногетероструктуры с повышенной подвижностью электронов, полученные методом МЛЭ [Текст] / А. Н. Алексеев, С. И. Петров, В. К. Неволин [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 5. – С. 69-74.
• Асеев, А. Л. Физика и технология гетероструктур III-V: современное состояние и тенденции развития [Текст] / А. Л. Асеев, О. П. Пчеляков, А. И. Торопов // Изв.ВУЗов.Физика. – 2003. – 46, № 6. – 21-26.
• Статус молекулярно-лучевой эпитаксии кадмий-ртуть-теллур в тепловизионной технике [Текст] / В. М. Белоконев, А. Д. Крайлюк, Е. В. Дегтярев [et al.] // Изв.ВУЗов.Приборостроение. – 2004. – № 9. – 7-19.
• Влияние ориентации подложки на захват кремния в А-И В-подрешетки арсенида галлия при молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, Л. Г. Ивонин [и др.] // Изв.ВУЗов.Физика. – 2002. – № 4. – С. 82-85.
• Глубокие центры захвата в структурах на основе GaN [Текст] / Л. Э. Великовский, Т. С. Китиченко, Т. Г. Колесникова [et al.] // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2002. – № 6. – 25-30.
• Устройство для выращивания слоев кремния из сублимационного источника на подложках стандартной формы [Текст] / С. А. Денисов, С. П. Светлов, В. Ю. Чалков [и др.] // Приборы и техника эксперимента. – 2015. – № 6. – С. 113-116.
• Епітаксійне формування системи квантових крапок Ge в масиві підкладки Si(100) [Текст] / Ю. Н. Козирев, В. М. Огенко, М. Ю. Рубежанська, О. О. Чуйко // Доповіді НАНУ. – 2002. – № 1. – 76-78.
• Молекулярно-лучевая эпитаксия GaAs при низких температурах: влияние избыточноого мышьяка на структуру и свойства слоев [Текст] / Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, В. В. Преображенский, В. В. Чалдышев // Изв.ВУЗов.Физика. – 2002. – № 8. – 3-20.
• Исследование структуры и состава напряженного эпитаксиального слоя в гетерокомпозиции InAIAS/GaAs(100) методами просвечивающей электронной микроскопии [Текст] / М. В. Ловыгин, Н. И. Боргардт, А. С. Бугаев [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2015. – Т. 20, № 4. – С. 431-439.
• Исследование структуры тонкого слоя алюминия на вицинальной поверхности подложки арсенида галлия методом высокоразрешающей электронной микроскопии [Текст] / М. В. Ловыгин, Н. И. Боргардт, М. Зайбт [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2015. – Т. 20, № 1. – С. 10-16.
• Получение эпитаксиальных слоев кадмий-цинк-теллур на подложках арсенида галлия (310) [Текст] / Д. Н. Придачин, А. К. Гутаковский, Ю. Г. Сидоров [et al.] // Изв.ВУЗов.Приборостроение. – 2004. – № 9. – 30-34.
• Быстродействующий in situ эллипсометр [Текст] / С. В. Рыхлицкий, Е. В. Спесивцев, В. А. Швец, А. Г. Борисов // Приборы и техника эксперимента. – 2012. – № 1. – С. 160-161.
• Универсальный пирометр для установок молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / Г. Ю. Сотникова, Г. А. Гаврилов, В. Л. Суханов [et al.] // Приборы и техника эксперимента. – 2007. – № 4. – 151-156.
• Устройство для нагревания подложки при молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, С. П. Светлов [и др.] // Приборы и техника эксперимента. – 2016. – № 2. – С. 152-155.
• Кремниевый сублимационный источник для молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Д. В. Шенгуров // Приборы и техника эксперимента. – 2016. – № 3. – С. 138-141.
• Нагреватель подложек в сверхвысоком вакууме [Текст] / В. Г. Шенгуров, С. П. Светлов, В. А. Толомасов, В. Ю. Чалков // Приборы и техника эксперимента. – 2004. – № 5. – 158-160.