| |
Глубокие центры захвата в структурах на основе GaN [Текст] / Л. Э. Великовский, Т. С. Китиченко, Т. Г. Колесникова [et al.]
// Изв.ВУЗов.Электроника. – 2002. – № 6. – 25-30.
Исследованы структурные и электрофизические свойства эпитаксиальных слоев нитрида галлия GaN на сапфировой подложке, полученных методом газовой и молекулярно-лучевой эпитаксии |
