| |
Устройство для выращивания слоев кремния из сублимационного источника на подложках стандартной формы [Текст] / С. А. Денисов, С. П. Светлов, В. Ю. Чалков [и др.]
// Приборы и техника эксперимента. – 2015. – № 6. – С. 113-116.
Описано устройство для осаждения из сублимационного источника слоев кремния на подложках стандартной формы - дисках диаметром 52-100 мм. Источник кремния - монокристалл, нагретый до температуры 1300-1380 С, совершает качание относительно подложки, что позволяет получать слои равномерной толщины и однородно легированные по площади подложки. |
